4" گیلیم آکسائیڈ سبسٹریٹس

سیمیکوریکس 4" گیلیم آکسائیڈ سبسٹریٹس بہترین کیمیائی اور تھرمل استحکام کی نمائش کرتے ہیں، اس بات کو یقینی بناتے ہوئے کہ انتہائی سخت حالات میں بھی اس کی کارکردگی مستقل اور قابل اعتماد رہے۔ یہ مضبوطی اعلی درجہ حرارت اور رد عمل والے ماحول میں شامل ایپلی کیشنز میں بہت اہم ہے۔ اس کے علاوہ، 4" گیلیم آکسائیڈ سبسٹریٹس بہترین نظری شفافیت کو برقرار رکھتے ہیں۔ الٹرا وائلٹ سے لے کر انفراریڈ تک وسیع طول موج کی رینج میں، یہ آپٹو الیکٹرانک ایپلی کیشنز بشمول روشنی خارج کرنے والے ڈائیوڈس اور لیزر ڈایڈس کے لیے پرکشش بناتا ہے۔

4.7 سے 4.9 eV تک کے بینڈ گیپ کے ساتھ، 4" گیلیم آکسائیڈ سبسٹریٹس اہم برقی فیلڈ طاقتوں میں سلکان کاربائیڈ (SiC) اور Gallium Nitride (GaN) کو نمایاں طور پر پیچھے چھوڑ دیتے ہیں، جو SiC کے 2.5 MV/cm کے مقابلے میں 8 MV/cm تک پہنچ جاتے ہیں۔ GaN کی 3.3 MV/cm یہ خاصیت، 250 cm²/Vs کی الیکٹران کی نقل و حرکت اور بجلی چلانے میں بہتر شفافیت کے ساتھ، پاور الیکٹرانکس میں 4" گیلیم آکسائیڈ سبسٹریٹس کو نمایاں برتری دیتی ہے۔ اس کی بالیگا کی قابلیت کا اعداد و شمار 3000 سے زیادہ ہے، جو کہ GaN اور SiC سے کئی گنا زیادہ ہے، جو کہ پاور ایپلی کیشنز میں اعلیٰ کارکردگی کی نشاندہی کرتا ہے۔

Semicorex 4" گیلیم آکسائیڈ سبسٹریٹس مواصلات، ریڈار، ایرو اسپیس، تیز رفتار ریل، اور نئی توانائی کی گاڑیوں میں استعمال کے لیے خاص طور پر فائدہ مند ہیں۔ یہ ان شعبوں میں تابکاری کا پتہ لگانے والے سینسر کے لیے غیر معمولی طور پر موزوں ہیں، خاص طور پر ہائی پاور، اعلی درجہ حرارت، اور اعلی تعدد والے آلات جہاں Ga2O3 SiC اور GaN پر نمایاں فوائد دکھاتا ہے۔