Silicon Carbide (SiC) epitaxy سیمی کنڈکٹرز کے میدان میں ایک اہم ٹیکنالوجی ہے، خاص طور پر ہائی پاور الیکٹرانک آلات کی ترقی کے لیے۔ SiC ایک وسیع بینڈ گیپ کے ساتھ ایک کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر ہے، جو اسے ان ایپلی کیشنز کے لیے مثالی بناتا ہے جن کے لیے اعلی درجہ حرارت اور ہائی وولٹیج آپریشن کی ضرورت ہوتی ہے۔
مزید پڑھایپیٹیکسیل ویفر عمل سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں استعمال ہونے والی ایک اہم تکنیک ہے۔ اس میں سبسٹریٹ کے اوپر کرسٹل مواد کی ایک پتلی پرت کی نشوونما شامل ہے، جس میں سبسٹریٹ کی طرح کرسٹل کی ساخت اور سمت بندی ہوتی ہے۔ یہ عمل دونوں مواد کے درمیان ایک اعلیٰ معیار کا انٹرفیس بناتا ہے، جس سے جدید الیکٹرانک آل......
مزید پڑھEpitaxial wafers کو الیکٹرانکس کی صنعت میں کئی دہائیوں سے استعمال کیا جا رہا ہے، لیکن ٹیکنالوجی کی ترقی کے ساتھ ہی ان کی اہمیت میں اضافہ ہوا ہے۔ اس مضمون میں، ہم دریافت کریں گے کہ epitaxial wafers کیا ہیں اور وہ جدید الیکٹرانکس کا ایک لازمی جزو کیوں ہیں۔
مزید پڑھسیمی کنڈکٹرز وہ مواد ہیں جو ایٹم نیوکلئس کی سب سے بیرونی تہہ میں الیکٹرانوں کے نقصان اور فائدہ کے مساوی امکان کے ساتھ کنڈکٹرز اور انسولیٹروں کے درمیان برقی خصوصیات کی رہنمائی کرتے ہیں، اور آسانی سے PN جنکشن میں بن جاتے ہیں۔ جیسے "سلیکون (Si)"، "جرمینیم (Ge)" اور دیگر مواد۔
مزید پڑھ