سی وی ڈی ٹی اے سی لیپت حساسپٹر

ایم او سی وی ڈی سسٹم میں ، حساسین بنیادی پلیٹ فارم ہے جس پر ایپیٹاکسیل نمو کے دوران ویفرز لگائے جاتے ہیں۔ یہ ضروری ہے کہ درجہ حرارت پر درست کنٹرول ، کیمیائی استحکام ، اور رد عمل گیسوں میں مکینیکل استحکام کو 1200 ° C سے زیادہ درجہ حرارت پر برقرار رکھا جاتا ہے۔ سیمیکوریکس سی وی ڈی ٹی اے سی لیپت حساسپٹر اس قابل ہے کہ انجینئرڈ گریفائٹ سبسٹریٹ کو گھنے ، وردی کے ساتھ جوڑ کر اس کو پورا کیا جاسکے۔ٹینٹلم کاربائڈ (ٹی اے سی) کی کوٹنگکیمیائی بخارات جمع (سی وی ڈی) کے ذریعے بنایا گیا۔

ٹی اے سی کے معیار میں اس کی غیر معمولی سختی ، سنکنرن مزاحمت ، اور تھرمل استحکام شامل ہے۔ ٹی اے سی میں 3800 ° C سے زیادہ کا پگھلنے کا نقطہ ہے ، اور یہ آج کل درجہ حرارت سے مزاحم مواد میں سے ایک ہے ، جس سے یہ MOCVD ری ایکٹرز میں استعمال کے ل suitable موزوں ہے ، ڈبلیو

یہ پیش خیمہ جو زیادہ گرم اور انتہائی سنکنرن ہوسکتا ہے۔سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگگریفائٹ حساسین اور رد عمل گیسوں کے مابین حفاظتی رکاوٹ فراہم کرتا ہے ، مثال کے طور پر ، امونیا (NH₃) ، اور انتہائی رد عمل ، دھات کے نامیاتی پیشگی پیش رو۔ کوٹنگ گریفائٹ سبسٹریٹ کے کیمیائی انحطاط ، جمع ماحول میں ذرات کی تشکیل ، اور جمع شدہ فلموں میں نجاستوں کے پھیلاؤ کو روکتی ہے۔ یہ اقدامات اعلی معیار ، ایپیٹاکسل فلموں کے لئے اہم ہیں ، کیونکہ وہ فلمی معیار کو متاثر کرسکتے ہیں۔

وافر حساسیت دینے والے کلاس III سیمیکمڈکٹرز ، جیسے ایس آئی سی ، ایلن اور گان کی تیاری کے لئے اہم اجزاء ہیں۔ زیادہ تر ویفر کیریئرز گریفائٹ سے بنے ہوتے ہیں اور عمل گیسوں سے سنکنرن سے بچانے کے لئے ایس آئی سی کے ساتھ لیپت ہوتے ہیں۔ Epitaxial نمو کا درجہ حرارت 1100 سے 1600 ° C تک ہے ، اور حفاظتی کوٹنگ کی سنکنرن مزاحمت ویفر کیریئر کی لمبی عمر کے لئے بہت ضروری ہے۔ تحقیق سے ثابت ہوا ہے کہ ٹی اے سی اعلی درجہ حرارت امونیا میں ایس آئی سی سے چھ گنا آہستہ اور اعلی درجہ حرارت ہائیڈروجن میں دس گنا زیادہ سست ہے۔

گریفائٹ حساسین اور رد عمل گیسوں کے مابین حفاظتی رکاوٹ فراہم کرتا ہے ، مثال کے طور پر ، امونیا (NH₃) ، اور انتہائی رد عمل ، دھات کے نامیاتی پیشگی پیش رو۔ کوٹنگ گریفائٹ سبسٹریٹ کے کیمیائی انحطاط ، جمع ماحول میں ذرات کی تشکیل ، اور جمع شدہ فلموں میں نجاستوں کے پھیلاؤ کو روکتی ہے۔ یہ اقدامات اعلی معیار ، ایپیٹاکسل فلموں کے لئے اہم ہیں ، کیونکہ وہ فلمی معیار کو متاثر کرسکتے ہیں۔

استعمال کرکےٹینٹلم کاربائڈ (ٹی اے سی) کوٹنگزکرسٹل کنارے کے نقائص کو دور کرسکتے ہیں اور کرسٹل نمو کے معیار کو بہتر بنا سکتے ہیں ، جس سے "تیز ، موٹی اور لمبی ترقی" کے حصول کے لئے ایک بنیادی ٹکنالوجی بن سکتی ہے۔ انڈسٹری ریسرچ نے یہ بھی ثابت کیا ہے کہ ٹینٹلم کاربائڈ لیپت گریفائٹ مصلوب زیادہ یکساں حرارتی نظام کو حاصل کرسکتے ہیں ، اس طرح ایس آئی سی واحد کرسٹل نمو کے لئے بہترین عمل کنٹرول فراہم کرتے ہیں ، اس طرح ایس آئی سی کرسٹل کے کنارے پولی کرسٹل کی تشکیل کے امکان کو نمایاں طور پر کم کرتے ہیں۔

ٹی اے سی کے سی وی ڈی پرت جمع کرنے کے طریقہ کار کے نتیجے میں انتہائی گھنے اور پیروی کی جانے والی کوٹنگ ہوتی ہے۔ سی وی ڈی ٹی اے سی سالماتی طور پر سبسٹریٹ کے ساتھ بندھا ہوا ہے ، اس کے برعکس اسپرے یا سونٹرڈ ملعمع کاری کے ساتھ ، جہاں سے کوٹنگ کو ختم کرنے کا نشانہ بنایا جائے گا۔ اس کا ترجمہ بہتر آسنجن ، ایک ہموار سطح ختم ، اور اعلی سالمیت میں ہوتا ہے۔ کوٹنگ کٹاؤ ، کریکنگ اور چھیلنے کا مقابلہ کرے گی یہاں تک کہ بار بار تھرمل طور پر ایک جارحانہ عمل کے ماحول میں سائیکل چلایا جائے گا۔ اس سے حساسیت اور کم دیکھ بھال اور متبادل لاگت کی طویل خدمت زندگی کی سہولت ملتی ہے۔

سی وی ڈی ٹی اے سی لیپت حساسپٹر کو ایم او سی وی ڈی ری ایکٹر کی ترتیب کی ایک رینج کے مطابق اپنی مرضی کے مطابق بنایا جاسکتا ہے ، جس میں افقی ، عمودی اور سیاروں کے نظام شامل ہیں۔  تخصیص میں کوٹنگ کی موٹائی ، سبسٹریٹ میٹریل ، اور جیومیٹری شامل ہے ، جس سے عمل کی شرائط پر منحصر ہے کہ اصلاح کی اجازت دی جائے۔  چاہے گان ، الگن ، انگن کے لئے ہو یا دوسرے کمپاؤنڈ سیمیکمڈکٹر مواد کے ل the ، حساسپٹر مستحکم اور تکرار کرنے والی کارکردگی فراہم کرتا ہے ، یہ دونوں ہی اعلی کارکردگی والے ڈیوائس پروسیسنگ کے لئے ضروری ہیں۔

ٹی اے سی کی کوٹنگ زیادہ استحکام اور پاکیزگی کی پیش کش کرتی ہے ، لیکن یہ بار بار تھرمل تناؤ سے تھرمل اخترتی کے خلاف مزاحمت کے ساتھ حساسین کی مکینیکل خصوصیات کو بھی تقویت دیتی ہے۔ میکانکی خصوصیات طویل جمع رنز کے دوران مستقل ویفر سپورٹ اور گھومنے والے توازن کو یقینی بناتی ہیں۔  مزید برآں ، اضافہ مستقل تولیدی صلاحیت اور سامان اپ ٹائم کی سہولت فراہم کرتا ہے۔