سلیکن کاربائیڈ ویفر پروسیسنگ میں خرابی کا پتہ لگانا

کا کردار کیا ہے؟SiC سبسٹریٹسسلیکن کاربائیڈ انڈسٹری میں؟

SiC سبسٹریٹسسلکان کاربائیڈ انڈسٹری میں سب سے اہم جزو ہیں، جو اس کی قیمت کا تقریباً 50 فیصد ہے۔ SiC سبسٹریٹس کے بغیر، SiC آلات تیار کرنا ناممکن ہے، جس سے وہ ضروری مادی بنیاد بنتے ہیں۔

حالیہ برسوں میں، گھریلو مارکیٹ کی بڑے پیمانے پر پیداوار حاصل کی ہے6 انچ سلکان کاربائیڈ (SiC) سبسٹریٹمصنوعات "چائنا 6 انچ SiC سبسٹریٹ مارکیٹ ریسرچ رپورٹ" کے مطابق، 2023 تک، چین میں 6 انچ کے SiC سبسٹریٹس کی فروخت کا حجم 1 ملین یونٹس سے تجاوز کر گیا ہے، جو عالمی صلاحیت کا 42 فیصد ہے، اور توقع ہے کہ یہ تقریباً 50 تک پہنچ جائے گی۔ 2026 تک %

6 انچ سلکان کاربائیڈ کے مقابلے میں، 8 انچ سلکان کاربائیڈ میں اعلی کارکردگی کے فوائد ہیں۔ سب سے پہلے، مواد کے استعمال کے لحاظ سے، ایک 8 انچ کے ویفر کا رقبہ 6 انچ کے ویفر کے مقابلے میں 1.78 گنا ہوتا ہے، یعنی اسی خام مال کی کھپت کے ساتھ،8 انچ ویفرزمزید آلات پیدا کر سکتے ہیں، اس طرح یونٹ کے اخراجات کو کم کر سکتے ہیں۔ دوم، 8 انچ کے SiC سبسٹریٹس میں زیادہ کیریئر کی نقل و حرکت اور بہتر چالکتا ہے، جو آلات کی مجموعی کارکردگی کو بہتر بنانے میں مدد کرتی ہے۔ مزید برآں، 8 انچ کے SiC سبسٹریٹس کی مکینیکل طاقت اور تھرمل چالکتا 6 انچ سبسٹریٹس سے بہتر ہے، جس سے ڈیوائس کی وشوسنییتا اور گرمی کی کھپت کی صلاحیتوں میں اضافہ ہوتا ہے۔

تیاری کے عمل میں SiC ایپیٹیکسیل پرتیں کیسے اہم ہیں؟

Epitaxial عمل SiC کی تیاری میں قیمت کا تقریباً ایک چوتھائی حصہ رکھتا ہے اور یہ مواد سے SiC ڈیوائس کی تیاری میں منتقلی کا ایک ناگزیر قدم ہے۔ epitaxial تہوں کی تیاری میں بنیادی طور پر ایک مونوکریسٹل لائن فلم کو بڑھانا شامل ہے۔SiC سبسٹریٹجو کہ پھر مطلوبہ پاور الیکٹرانک آلات کی تیاری کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ فی الحال، epitaxial تہہ کی تیاری کے لیے سب سے زیادہ مرکزی دھارے کا طریقہ کیمیائی بخارات جمع کرنا (CVD) ہے، جو کہ جوہری اور سالماتی کیمیائی رد عمل کے ذریعے ٹھوس فلمیں بنانے کے لیے گیس کے پیشگی ری ایکٹنٹس کا استعمال کرتا ہے۔ 8 انچ کے SiC سبسٹریٹس کی تیاری تکنیکی طور پر مشکل ہے، اور فی الحال، دنیا بھر میں صرف ایک محدود تعداد میں مینوفیکچررز بڑے پیمانے پر پیداوار حاصل کر سکتے ہیں۔ 2023 میں، عالمی سطح پر 8 انچ کے ویفرز سے متعلق تقریباً 12 توسیعی منصوبے ہیں، جن میں 8 انچ کے SiC سبسٹریٹس اورepitaxial wafersپہلے سے ہی جہاز کے لئے شروع، اور wafer مینوفیکچرنگ کی صلاحیت آہستہ آہستہ تیز.

سلیکن کاربائیڈ سبسٹریٹس میں نقائص کی شناخت اور پتہ کیسے لگایا جاتا ہے؟

سلیکون کاربائیڈ، اپنی اعلیٰ سختی اور مضبوط کیمیائی جڑت کے ساتھ، اپنے ذیلی ذخیروں کی پروسیسنگ میں چیلنجوں کا ایک سلسلہ پیش کرتا ہے، جس میں کلیدی اقدامات جیسے سلائسنگ، پتلا کرنا، پیسنا، پالش کرنا اور صفائی کرنا شامل ہے۔ تیاری کے دوران، پروسیسنگ کے نقصان، بار بار نقصان، اور کارکردگی میں بہتری میں مشکلات جیسے مسائل پیدا ہوتے ہیں، جو بعد میں آنے والی ایپیٹیکسیل تہوں کے معیار اور آلات کی کارکردگی کو نمایاں طور پر متاثر کرتے ہیں۔ لہذا، سلیکون کاربائیڈ سبسٹریٹس میں نقائص کی نشاندہی اور ان کا پتہ لگانا بہت اہمیت کا حامل ہے۔ عام نقائص میں سطح پر خروںچ، پھیلاؤ اور گڑھے شامل ہیں۔

خرابیاں کیسے ہیں؟سلیکن کاربائیڈ ایپیٹیکسیل ویفرزپتہ چلا؟

صنعتی سلسلہ میں،سلکان کاربائیڈ ایپیٹیکسیل ویفرزسلکان کاربائیڈ سبسٹریٹس اور سلکان کاربائیڈ ڈیوائسز کے درمیان پوزیشن میں ہیں، بنیادی طور پر کیمیائی بخارات جمع کرنے کے طریقہ کار سے اگائے جاتے ہیں۔ سلیکون کاربائیڈ کی منفرد خصوصیات کی وجہ سے، نقائص کی اقسام دیگر کرسٹل سے مختلف ہوتی ہیں، جن میں گرنے، مثلث کے نقائص، گاجر کے نقائص، بڑے مثلث کے نقائص، اور قدموں کا گچھا شامل ہیں۔ یہ نقائص ڈاون اسٹریم ڈیوائسز کی برقی کارکردگی کو متاثر کر سکتے ہیں، ممکنہ طور پر قبل از وقت خرابی اور اہم رساو کا باعث بنتے ہیں۔

زوال کا نقص

مثلث کی خرابی

گاجر کا نقص

بڑے مثلث کا نقص

سٹیپ بنچنگ ڈیفیکٹ