SiC کرسٹل میں نقائص کے بارے میں - Micropipe

SiC سبسٹریٹ میں خوردبینی نقائص ہو سکتے ہیں، جیسے کہ تھریڈنگ اسکرو ڈس لوکیشن (TSD)، تھریڈنگ ایج ڈس لوکیشن (TED)، بیس پلین ڈس لوکیشن (BPD) اور دیگر۔ یہ نقائص جوہری سطح پر ایٹموں کی ترتیب میں انحراف کی وجہ سے ہوتے ہیں۔ SiC کرسٹل میں میکروسکوپک ڈس لوکیشنز بھی ہو سکتے ہیں، جیسے Si یا C انکلوژنز، مائیکرو پائپ، ہیکساگونل وائیڈز، پولیمورف وغیرہ۔

SiC ڈیوائسز کی تیاری میں ایک بڑا مسئلہ تین جہتی مائیکرو اسٹرکچرز ہیں جنہیں "مائیکروپائپ" یا "پن ہولز" کہا جاتا ہے، جو بالترتیب 30-40um اور 0.1-5um سائز کے ہوتے ہیں۔ ان مائیکرو پائپ کی کثافت 10-10³/cm² ہوتی ہے اور یہ ایپیٹیکسیل پرت میں گھس سکتی ہے، جس کے نتیجے میں ڈیوائس کو مارنے والے نقائص پیدا ہوتے ہیں۔ وہ بنیادی طور پر اسپیرو ڈس لوکیشنز کے جھرمٹ کی وجہ سے ہوتے ہیں اور انہیں SiC ڈیوائسز کی ترقی میں بنیادی رکاوٹ سمجھا جاتا ہے۔

سبسٹریٹ پر مائیکرو ٹیوبول نقائص افزائش کے عمل کے دوران اپیٹیکسیل پرت میں بننے والے دیگر نقائص کا ذریعہ ہیں، جیسے voids، مختلف پولیمورفس کی شمولیت، جڑواں بچے وغیرہ۔ لہذا، سبسٹریٹ مواد کی نشوونما کے عمل کے دوران سب سے اہم کام کرنا ہے۔ ہائی وولٹیج اور ہائی پاور SiC ڈیوائسز کے لیے بلک SiC کرسٹل میں مائکرو ٹیوبول نقائص کی تشکیل کو کم کرنا اور انہیں اپیٹیکسیل پرت میں داخل ہونے سے روکنا ہے۔

مائیکرو پائپ کو چھوٹے گڑھوں کے طور پر دیکھا جا سکتا ہے، اور عمل کے حالات کو بہتر بنا کر ہم مائیکرو پائپ کی کثافت کو کم کرنے کے لیے "گڑھے بھر" سکتے ہیں۔ لٹریچر اور تجرباتی اعداد و شمار میں کئی مطالعات سے پتہ چلتا ہے کہ بخارات کا اخراج، سی وی ڈی کی ترقی، اور مائع فیز ایپیٹیکسی مائیکرو پائپ کو بھر سکتی ہے اور مائیکرو پائپ اور ڈس لوکیشن کی تشکیل کو کم کر سکتی ہے۔

Semicorex SIC کوٹنگز بنانے کے لیے MOCVD تکنیک کا استعمال کرتا ہے جو مائیکرو پائپ کی کثافت کو مؤثر طریقے سے کم کرتی ہے، جس کے نتیجے میں اعلیٰ معیار کی مصنوعات حاصل ہوتی ہیں۔ اگر آپ کی کوئی پوچھ گچھ ہے یا اضافی تفصیلات کی ضرورت ہے، تو براہ کرم ہم سے رابطہ کرنے میں سنکوچ نہ کریں۔

فون نمبر +86-13567891907 سے رابطہ کریں۔

ای میل: sales@semicorex.com