ایس آئی سی ایپیٹیکسی

epitaxy کی دو قسمیں ہیں: یکساں اور متفاوت۔ مختلف ایپلی کیشنز کے لیے مخصوص مزاحمت اور دیگر پیرامیٹرز کے ساتھ SiC ڈیوائسز تیار کرنے کے لیے، پیداوار شروع ہونے سے پہلے سبسٹریٹ کو ایپیٹیکسی کی شرائط کو پورا کرنا چاہیے۔ ایپیٹیکسی کا معیار آلہ کی کارکردگی کو متاثر کرتا ہے۔

فی الحال دو اہم epitaxial طریقے ہیں۔ سب سے پہلے یکساں ایپیٹیکسی ہے، جہاں SiC فلم ایک conductive SiC سبسٹریٹ پر اگائی جاتی ہے۔ یہ بنیادی طور پر MOSFET، IGBT، اور دیگر ہائی وولٹیج پاور سیمی کنڈکٹر فیلڈز کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ دوسرا heteroepitaxial گروتھ ہے، جہاں GaN فلم نیم موصل سی سی سبسٹریٹ پر اگائی جاتی ہے۔ یہ GaN HEMT اور دیگر کم اور درمیانے وولٹیج پاور سیمی کنڈکٹرز کے ساتھ ساتھ ریڈیو فریکوئنسی اور آپٹو الیکٹرانک آلات کے لیے استعمال ہوتا ہے۔

Epitaxial عملوں میں sublimation یا جسمانی بخارات کی نقل و حمل (PVT)، مالیکیولر بیم ایپیٹیکسی (MBE)، مائع فیز ایپیٹیکسی (LPE)، اور کیمیائی بخارات کا مرحلہ ایپیٹیکسی (CVD) شامل ہیں۔ مرکزی دھارے میں شامل SiC یکساں ایپیٹیکسیل پروڈکشن کا طریقہ H2 کو کیریئر گیس کے طور پر استعمال کرتا ہے، سائلین (SiH4) اور پروپین (C3H8) کے ساتھ Si اور C کے ماخذ کے طور پر۔ SiC مالیکیولز ورن کے چیمبر میں کیمیائی عمل کے ذریعے پیدا ہوتے ہیں اور SiC سبسٹریٹ پر جمع ہوتے ہیں۔ .

SiC epitaxy کے کلیدی پیرامیٹرز میں موٹائی اور ڈوپنگ حراستی یکسانیت شامل ہیں۔ جیسے جیسے ڈاؤن اسٹریم ڈیوائس ایپلیکیشن منظر نامے میں وولٹیج بڑھتا ہے، ایپیٹیکسیل پرت کی موٹائی بتدریج بڑھتی جاتی ہے اور ڈوپنگ کا ارتکاز کم ہوتا جاتا ہے۔

SiC صلاحیت کی تعمیر میں ایک محدود عنصر ایپیٹیکسیل آلات ہے۔ Epitaxial گروتھ آلات پر فی الحال اٹلی کے LPE، جرمنی کے AIXTRON، اور جاپان کے Nuflare اور TEL کی اجارہ داری ہے۔ مرکزی دھارے میں شامل SiC ہائی ٹمپریچر ایپیٹیکسیل آلات کی ترسیل کے چکر کو تقریباً 1.5-2 سال تک بڑھا دیا گیا ہے۔

Semicorex سیمی کنڈکٹر آلات کے لیے SiC پارٹس فراہم کرتا ہے، جیسے LPE، Aixtron، وغیرہ۔ اگر آپ کو کوئی پوچھ گچھ ہے یا اضافی تفصیلات کی ضرورت ہے، تو براہ کرم ہم سے رابطہ کرنے میں ہچکچاہٹ محسوس نہ کریں۔

فون نمبر +86-13567891907 سے رابطہ کریں۔

ای میل: sales@semicorex.com