SiC epitaxy کیا ہے؟

Silicon Carbide (SiC) epitaxy سیمی کنڈکٹرز کے میدان میں ایک اہم ٹیکنالوجی ہے، خاص طور پر ہائی پاور الیکٹرانک آلات کی ترقی کے لیے۔ SiC ایک وسیع بینڈ گیپ کے ساتھ ایک کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر ہے، جو اسے ان ایپلی کیشنز کے لیے مثالی بناتا ہے جن کے لیے اعلی درجہ حرارت اور ہائی وولٹیج آپریشن کی ضرورت ہوتی ہے۔

SiC epitaxy کیمیائی بخارات جمع کرنے (CVD) یا مالیکیولر بیم epitaxy (MBE) تکنیکوں کا استعمال کرتے ہوئے سبسٹریٹ، عام طور پر سلکان پر کرسٹل لائن مواد کی ایک پتلی پرت کو اگانے کا عمل ہے۔ ایپیٹیکسیل پرت میں سبسٹریٹ کی طرح ہی کرسٹل ڈھانچہ اور واقفیت ہے، جو دو مواد کے درمیان ایک اعلیٰ معیار کے انٹرفیس کی تشکیل کی اجازت دیتی ہے۔

پاور الیکٹرانکس کی ترقی میں SiC ایپیٹیکسی کا وسیع پیمانے پر استعمال کیا گیا ہے، بشمول پاور ڈیوائسز جیسے ڈائیوڈس، ٹرانزسٹرز، اور تھائرسٹرس۔ یہ آلات ایپلی کیشنز کی ایک وسیع رینج میں استعمال ہوتے ہیں، جیسے برقی گاڑیاں، قابل تجدید توانائی کے نظام، اور بجلی کی فراہمی۔

حالیہ برسوں میں، الیکٹرک گاڑیوں اور قابل تجدید توانائی کے نظام جیسے ایپلی کیشنز کے لیے ہائی پاور ڈیوائسز کی تیاری کے لیے SiC ایپیٹیکسی کی ترقی میں دلچسپی بڑھ رہی ہے۔ ان آلات کی مانگ میں آنے والے سالوں میں تیزی سے اضافہ ہونے کی توقع ہے، جو کہ زیادہ موثر اور پائیدار توانائی کے نظام کی ضرورت سے چلتی ہے۔

اس مطالبے کے جواب میں، محققین اور کمپنیاں SIC epitaxy ٹیکنالوجی کی ترقی میں سرمایہ کاری کر رہے ہیں، جس میں معیار کو بہتر بنانے اور عمل کی لاگت کو کم کرنے پر توجہ دی گئی ہے۔ مثال کے طور پر، کچھ کمپنیاں فی ویفر لاگت کو کم کرنے کے لیے بڑے سبسٹریٹس پر SiC epitaxy تیار کر رہی ہیں، جبکہ دیگر نقائص کی کثافت کو کم کرنے کے لیے نئی تکنیکوں کی تلاش کر رہی ہیں۔

گیس سینسنگ، ٹمپریچر سینسنگ، اور پریشر سینسنگ سمیت ایپلی کیشنز کی ایک رینج کے لیے جدید سینسرز کی ترقی میں بھی SiC ایپیٹیکسی کا استعمال کیا جا رہا ہے۔ SiC میں منفرد خصوصیات ہیں جو اسے ان ایپلی کیشنز کے لیے مثالی بناتی ہیں، جیسے کہ اعلی درجہ حرارت کا استحکام اور سخت ماحول کے خلاف مزاحمت۔