ایل پی ای کا سامان

سیمی کنڈکٹر ڈیوائس فیبریکیشن کے دائرے میں، اعلی معیار اور قابل اعتماد آلات کے حصول کے لیے کرسٹل کی نمو کا درست کنٹرول سب سے اہم ہے۔ ایک تکنیک جس نے اس ڈومین میں اہم کردار ادا کیا ہے وہ ہے Liquid-phase Epitaxy (LPE)۔

ایل پی ای کے بنیادی اصول:

Epitaxy، عام طور پر، اسی طرح کی جالی ساخت کے ساتھ سبسٹریٹ پر کرسٹل لائن کی پرت کی ترقی سے مراد ہے۔ ایل پی ای، ایک قابل ذکر ایپیٹیکسیل تکنیک، جس میں اگائے جانے والے مواد کے سپر سیچوریٹڈ محلول کا استعمال شامل ہے۔ سبسٹریٹ، عام طور پر سنگل کرسٹل، ایک مخصوص مدت کے لیے اس محلول کے ساتھ رابطے میں لایا جاتا ہے۔ جب سبسٹریٹ اور اگائے جانے والے مواد کے جالی کے مستقل مماثل ہوتے ہیں، تو مواد کرسٹل کے معیار کو برقرار رکھتے ہوئے سبسٹریٹ پر گر جاتا ہے۔ اس عمل کے نتیجے میں جالی سے مماثل ایپیٹیکسیل پرت بنتی ہے۔

ایل پی ای کا سامان:

ایل پی ای کے لیے کئی قسم کے گروتھ اپریٹس تیار کیے گئے ہیں، ہر ایک مخصوص ایپلی کیشنز کے لیے منفرد فوائد پیش کرتا ہے:

ٹپنگ فرنس:

سبسٹریٹ کوارٹج ٹیوب کے اندر گریفائٹ بوٹ کے ایک سرے پر رکھا جاتا ہے۔

حل گریفائٹ کشتی کے دوسرے سرے پر واقع ہے۔

کشتی سے جڑا ہوا تھرموکوپل بھٹی کے درجہ حرارت کو کنٹرول کرتا ہے۔

نظام کے ذریعے ہائیڈروجن کا بہاؤ آکسیکرن کو روکتا ہے۔

حل کو سبسٹریٹ کے ساتھ رابطے میں لانے کے لیے بھٹی کو آہستہ آہستہ ٹپ کیا جاتا ہے۔

مطلوبہ درجہ حرارت تک پہنچنے اور ایپیٹیکسیل پرت کو بڑھنے کے بعد، بھٹی کو اپنی اصل پوزیشن پر واپس کر دیا جاتا ہے۔

عمودی بھٹی:

اس ترتیب میں، سبسٹریٹ کو محلول میں ڈبو دیا جاتا ہے۔

یہ طریقہ ٹِپنگ فرنس کے لیے ایک متبادل طریقہ فراہم کرتا ہے، جس سے سبسٹریٹ اور محلول کے درمیان ضروری رابطہ ہوتا ہے۔

ملٹی بن بھٹی:

اس اپریٹس میں ایک سے زیادہ حل یکے بعد دیگرے ڈبوں میں رکھے جاتے ہیں۔

سبسٹریٹ کو مختلف حلوں کے ساتھ رابطے میں لایا جا سکتا ہے، جس سے کئی اپیٹیکسیل تہوں کی ترتیب وار نشوونما ہوتی ہے۔

اس قسم کی بھٹی بڑے پیمانے پر پیچیدہ ڈھانچے بنانے کے لیے استعمال ہوتی ہے جیسے لیزر آلات کے لیے درکار ہوتی ہے۔

ایل پی ای کی درخواستیں:

1963 میں اپنے ابتدائی مظاہرے کے بعد سے، ایل پی ای کو مختلف III-V کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر آلات کی تیاری میں کامیابی کے ساتھ استعمال کیا گیا ہے۔ ان میں انجیکشن لیزرز، لائٹ ایمیٹنگ ڈائیوڈس، فوٹو ڈیٹیکٹر، سولر سیل، بائی پولر ٹرانزسٹرز اور فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر شامل ہیں۔ اس کی استعداد اور اعلیٰ معیار کی، جالی سے مماثل ایپیٹیکسیل تہوں کو تیار کرنے کی صلاحیت ایل پی ای کو جدید سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجیز کی ترقی میں سنگ بنیاد بناتی ہے۔

Liquid-Fase Epitaxy سیمی کنڈکٹر ڈیوائس فیبریکیشن میں درکار آسانی اور درستگی کے ثبوت کے طور پر کھڑا ہے۔ کرسٹل نمو کے اصولوں کو سمجھ کر اور LPE اپریٹس کی صلاحیتوں کو بروئے کار لا کر، محققین اور انجینئرز ٹیلی کمیونیکیشن سے لے کر قابل تجدید توانائی تک کے ایپلی کیشنز کے ساتھ جدید ترین سیمی کنڈکٹر ڈیوائسز بنانے میں کامیاب ہو گئے ہیں۔ جیسے جیسے ٹیکنالوجی آگے بڑھ رہی ہے، ایل پی ای سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی کے مستقبل کو تشکیل دینے والی تکنیکوں کے ہتھیاروں میں ایک اہم ذریعہ ہے۔

Semicorex اعلیٰ معیار کی پیشکش کرتا ہے۔LPE کے لیے CVD SiC حصےاپنی مرضی کے مطابق سروس کے ساتھ. اگر آپ کی کوئی پوچھ گچھ ہے یا اضافی تفصیلات کی ضرورت ہے، تو براہ کرم ہم سے رابطہ کرنے میں سنکوچ نہ کریں۔

فون نمبر +86-13567891907 سے رابطہ کریں۔

ای میل: sales@semicorex.com