Infineon نے دنیا کے پہلے 300mm پاور GaN Wafer کی نقاب کشائی کی۔

حال ہی میں، Infineon Technologies نے دنیا کی پہلی 300mm پاور Gallium Nitride (GaN) ویفر ٹیکنالوجی کی کامیاب ترقی کا اعلان کیا۔ اس سے وہ اس اہم ٹیکنالوجی میں مہارت حاصل کرنے والی پہلی کمپنی بنتی ہے اور موجودہ بڑے پیمانے پر، اعلیٰ صلاحیت والے مینوفیکچرنگ ماحول میں بڑے پیمانے پر پیداوار حاصل کرتی ہے۔ یہ جدت GAN پر مبنی پاور سیمی کنڈکٹر مارکیٹ میں ایک اہم پیشرفت کی نشاندہی کرتی ہے۔

300mm ٹیکنالوجی 200mm ٹیکنالوجی سے کیسے موازنہ کرتی ہے؟

200mm ٹیکنالوجی کے مقابلے میں، 300mm ویفرز کا استعمال 2.3 گنا زیادہ GaN چپس فی ویفر کی پیداوار کی اجازت دیتا ہے، جس سے پیداواری کارکردگی اور آؤٹ پٹ میں نمایاں اضافہ ہوتا ہے۔ یہ پیش رفت نہ صرف پاور سسٹم کے شعبے میں Infineon کی قیادت کو مستحکم کرتی ہے بلکہ GaN ٹیکنالوجی کی تیز رفتار ترقی کو بھی تیز کرتی ہے۔

Infineon کے CEO نے اس کامیابی کے بارے میں کیا کہا؟

Infineon Technologies کے CEO Jochen Hanebeck نے کہا، "یہ شاندار کامیابی جدت طرازی میں ہماری مضبوط طاقت کو ظاہر کرتی ہے اور یہ ہماری عالمی ٹیم کی انتھک کوششوں کا ثبوت ہے۔ ہم پختہ یقین رکھتے ہیں کہ یہ تکنیکی پیش رفت صنعت کے اصولوں کو نئی شکل دے گی اور GaN ٹیکنالوجی کی مکمل صلاحیت کو کھول دے گی۔ GaN سسٹمز کے حصول کے تقریباً ایک سال بعد، ہم ایک بار پھر تیزی سے بڑھتی ہوئی GaN مارکیٹ میں قیادت کرنے کے اپنے عزم کا اظہار کر رہے ہیں۔ پاور سسٹمز میں رہنما کے طور پر، Infineon نے تین اہم مواد میں مسابقتی برتری حاصل کی ہے: سلکان، سلکان کاربائیڈ، اور GaN۔

Infineon کے CEO Jochen Hanebeck کے پاس دنیا کے پہلے 300mm GaN پاور ویفرز میں سے ایک ہے جو موجودہ اور توسیع پذیر ہائی والیوم مینوفیکچرنگ ماحول میں تیار کیا گیا ہے۔

300mm GaN ٹیکنالوجی کیوں فائدہ مند ہے؟

300mm GaN ٹکنالوجی کا ایک اہم فائدہ یہ ہے کہ اسے موجودہ 300mm سلکان مینوفیکچرنگ آلات کا استعمال کرتے ہوئے تیار کیا جا سکتا ہے، کیونکہ مینوفیکچرنگ کے عمل میں GaN اور سلکان کی مماثلت ہے۔ یہ خصوصیت Infineon کو بغیر کسی رکاوٹ کے GaN ٹیکنالوجی کو اپنے موجودہ پروڈکشن سسٹمز میں ضم کرنے کی اجازت دیتی ہے، اس طرح ٹیکنالوجی کو اپنانے اور استعمال کرنے میں تیزی آتی ہے۔

Infineon نے کامیابی سے 300mm GaN Wafers کہاں سے تیار کیے ہیں؟

فی الحال، Infineon نے ولچ، آسٹریا میں اپنے پاور پلانٹ میں موجودہ 300mm سلکان پروڈکشن لائنوں پر کامیابی کے ساتھ 300mm GaN ویفرز تیار کیے ہیں۔ 200mm GaN ٹیکنالوجی اور 300mm سیلیکون پروڈکشن کی قائم کردہ بنیادوں پر تعمیر کرتے ہوئے، کمپنی نے اپنی تکنیکی اور پیداواری صلاحیتوں کو مزید بڑھایا ہے۔

اس پیش رفت کا مستقبل کے لیے کیا مطلب ہے؟

یہ پیش رفت نہ صرف Infineon کی جدت طرازی اور بڑے پیمانے پر پیداواری صلاحیتوں کو اجاگر کرتی ہے بلکہ پاور سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کی مستقبل کی ترقی کے لیے ایک مضبوط بنیاد بھی رکھتی ہے۔ جیسا کہ GaN ٹیکنالوجی کا ارتقاء جاری ہے، Infineon مارکیٹ کی ترقی کو آگے بڑھانے میں برقرار رہے گا، عالمی سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں اپنی قائدانہ پوزیشن کو مزید بہتر بنائے گا۔**