ایس آئی سی ایپیٹیکسی

سیمیکوریکس سلکان کاربائیڈ ڈیوائسز کی ترقی کے لیے سبسٹریٹس پر حسب ضرورت پتلی فلم (سلیکون کاربائیڈ) SiC ایپیٹیکسی فراہم کرتا ہے۔

SiC epitaxy کو ڈوپینٹس کو شامل کرکے یا مختلف کرسٹل واقفیت کو بڑھا کر ڈیوائس کی مخصوص ضروریات کو پورا کرنے کے لیے تیار کیا جا سکتا ہے۔ نائٹروجن یا ایلومینیم جیسی نجاست کے ساتھ ایپیٹیکسیل پرت کو ڈوپ کرنے سے برقی خصوصیات میں ترمیم کی اجازت ملتی ہے، جیسے کیریئر کے ارتکاز کو کنٹرول کرنا یا p-n جنکشن بنانا۔

ایس آئی سی ایپیٹیکسیل پرت کے معیار کا اندازہ مختلف خصوصیات کی تکنیکوں کے ذریعے کیا جاتا ہے، بشمول ایکس رے ڈفریکشن، اسکیننگ الیکٹران مائکروسکوپی، ایٹم فورس مائکروسکوپی، اور برقی پیمائش۔ یہ تکنیکیں کرسٹل کی ساخت، سطح کی شکل، اور epitaxial تہہ کی برقی کارکردگی کا جائزہ لینے میں مدد کرتی ہیں۔

Semicorex پیش کر سکتا ہے: SiC epitaxial wafer، GaN epitaxial wafer، Si Epitaxy، SiC wafer، وغیرہ۔