ٹی سی لیپت ہاف مون

Semicorex TaC-coated Halfmoon SiC epitaxy کے لیے درکار بلند درجہ حرارت (2200°C تک) پر اپنی ساختی سالمیت اور کیمیائی جڑت کو برقرار رکھتا ہے۔ یہ مسلسل تھرمل کارکردگی کو یقینی بناتا ہے اور پروسیس گیسوں یا ماخذ مواد کے ساتھ ناپسندیدہ رد عمل کو روکتا ہے۔ اور اسے تھرمل چالکتا اور اخراج کو بہتر بنانے کے لیے انجنیئر کیا جا سکتا ہے، جس سے سسپٹر سطح پر گرمی کی یکساں تقسیم کو فروغ دیا جا سکتا ہے۔ یہ زیادہ یکساں ویفر درجہ حرارت پروفائلز اور ایپیٹیکسیل پرت کی موٹائی اور ڈوپنگ حراستی میں بہتر یکسانیت کی طرف جاتا ہے۔ مزید برآں، TaC-coated Halfmoon کے تھرمل توسیعی گتانک کو SiC سے قریب سے ملنے کے لیے تیار کیا جا سکتا ہے، حرارتی اور کولنگ سائیکل کے دوران تھرمل تناؤ کو کم کرتا ہے۔ یہ ویفر کے جھکنے اور خرابی کی تشکیل کے خطرے کو کم کرتا ہے، جو آلہ کی اعلی پیداوار میں حصہ ڈالتا ہے۔

ٹی اے سی کوٹڈ ہاف مون غیر کوٹیڈ/سی سی لیپت متبادلات کے مقابلے گریفائٹ سسپٹرز کی سروس لائف کو نمایاں طور پر بڑھاتا ہے۔ SiC جمع کرنے اور تھرمل انحطاط کے خلاف بڑھی ہوئی مزاحمت صفائی کے چکروں اور تبدیلی کی فریکوئنسی کو کم کرتی ہے، جس سے مجموعی مینوفیکچرنگ لاگت کم ہوتی ہے۔

SiC ڈیوائس کی کارکردگی کے فوائد:

بہتر ڈیوائس کی وشوسنییتا اور کارکردگی:TaC-coated Halfmoon پر اگنے والی epitaxial تہوں میں بہتر یکسانیت اور خرابی کی کثافت آلہ کی اعلی پیداوار اور بریک ڈاؤن وولٹیج، آن ریزسٹنس، اور سوئچنگ کی رفتار کے لحاظ سے بہتر کارکردگی کا ترجمہ کرتی ہے۔

اعلی حجم مینوفیکچرنگ کے لیے سرمایہ کاری مؤثر حل:توسیع شدہ زندگی، کم دیکھ بھال کی ضروریات، اور بہتر ویفر کا معیار SiC پاور ڈیوائسز کے لیے زیادہ سرمایہ کاری مؤثر مینوفیکچرنگ کے عمل میں معاون ہے۔

Semicorex TaC-coated Halfmoon مواد کی مطابقت، تھرمل مینجمنٹ، اور عمل کی آلودگی سے متعلق کلیدی چیلنجوں سے نمٹنے کے ذریعے SiC epitaxy کو آگے بڑھانے میں اہم کردار ادا کرتا ہے۔ یہ اعلیٰ معیار کے SiC ویفرز کی تیاری کے قابل بناتا ہے، جس کے نتیجے میں الیکٹرک گاڑیوں، قابل تجدید توانائی، اور دیگر مطلوبہ صنعتوں میں ایپلی کیشنز کے لیے زیادہ موثر اور قابل اعتماد پاور الیکٹرانک ڈیوائسز دستیاب ہوتی ہیں۔