ٹینٹلم کاربائیڈ کروسیبل

Semicorex Tantalum Carbide Crucible کو احتیاط سے گریفائٹ سے تیار کیا گیا ہے، جسے پھر ٹینٹلم کاربائیڈ (TaC) کے ساتھ لیپت کیا جاتا ہے، یہ ایک ایسا مجموعہ ہے جو SiC کرسٹل کی ترقی کے اعلی درجہ حرارت اور کیمیائی طور پر مطالبہ کرنے والے ماحول میں اعلیٰ کارکردگی فراہم کرتا ہے۔

ٹینٹلم کاربائیڈ ایک ریفریکٹری سیرامک ​​مواد ہے جو اپنی غیر معمولی سختی، کیمیائی مزاحمت، اور انتہائی اعلی درجہ حرارت پر ساختی سالمیت کو برقرار رکھنے کی صلاحیت کے لیے جانا جاتا ہے۔ ٹی اے سی کے ساتھ گریفائٹ کروسیبل کوٹنگ کرنے سے، ٹینٹلم کاربائیڈ کروسیبل ان مفید خصوصیات کو وراثت میں ملاتا ہے، جس سے اس کی کارکردگی اور عمر میں نمایاں اضافہ ہوتا ہے۔ ٹی اے سی کوٹنگ ایک حفاظتی رکاوٹ کے طور پر کام کرتی ہے، جو گریفائٹ کو ترقی کے عمل کے دوران موجود SiC مواد یا دیگر گیسوں کے ساتھ رد عمل ظاہر کرنے سے روکتی ہے۔ یہ اس بات کو یقینی بناتا ہے کہ کروسیبل اپنی سالمیت کو برقرار رکھتا ہے اور کسی بھی آلودگی کو متعارف نہیں کرتا ہے جو SiC کرسٹل کے معیار سے سمجھوتہ کر سکتا ہے۔

ٹینٹلم کاربائیڈ کروسیبل میں SiC کرسٹل کی نمو کے لیے درکار بلند درجہ حرارت پر کام کرنے کی صلاحیت ہے۔ SiC کرسٹل عام طور پر 2000 ° C سے زیادہ درجہ حرارت پر اگائے جاتے ہیں، اور اس طرح کے اعلی درجہ حرارت کو مسلسل برقرار رکھنا اعلیٰ معیار کے کرسٹل بنانے کے لیے بہت ضروری ہے۔ ٹی اے سی لیپت گریفائٹ کروسیبل ان انتہائی حالات کا مقابلہ کر سکتا ہے بغیر کسی بگاڑ یا انحطاط کے، کرسٹل کی نمو کے عمل کے لیے ایک مستحکم ماحول فراہم کرتا ہے۔ یہ استحکام مطلوبہ کرسٹل سائز، پاکیزگی، اور سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کے لیے درکار ساختی خصوصیات کے حصول کے لیے ضروری ہے۔

ٹینٹلم کاربائیڈ کروسیبل میں مضبوط کیمیائی مزاحمت ہوتی ہے، جو انہیں SiC کرسٹل کی نمو کے لیے ضروری بناتی ہے۔ ترقی کے پورے عمل کے دوران، مختلف گیسوں اور رد عمل کی انواع کو متعارف کرایا جاتا ہے تاکہ SiC کرسٹل کی تشکیل میں مدد ملے۔ یہ ماحول انتہائی سنکنرن ہو سکتے ہیں، جو کروسیبل کی ساختی سالمیت کے لیے خطرہ بن سکتے ہیں۔ TaC کوٹنگ مؤثر طریقے سے گریفائٹ کو ان سنکنرن عناصر سے بچاتی ہے، اس بات کو یقینی بناتی ہے کہ عمل کے دوران کروسیبل برقرار اور فعال رہے۔ کیمیائی حملے کے خلاف یہ مزاحمت نہ صرف کروسیبل کی زندگی کو طول دیتی ہے بلکہ کرسٹل گروتھ آپریشن کی مجموعی کارکردگی اور لاگت کی تاثیر میں بھی حصہ ڈالتی ہے۔