ٹینٹلم کاربائیڈ کا حصہ

Semicorex Tantalum Carbide Part ایک مضبوط TaC کوٹنگ کے ساتھ ایک خصوصی گریفائٹ جزو ہے، خاص طور پر سلکان کاربائیڈ (SiC) کرسٹل گروتھ ایپلی کیشنز میں اعلیٰ کارکردگی کے استعمال کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ یہ حصہ SiC کرسٹل کی پیداوار سے وابستہ اعلی درجہ حرارت والے ماحول کی سخت تقاضوں کو پورا کرنے کے لیے انجنیئر کیا گیا ہے، جو پائیداری، کیمیائی استحکام، اور بہتر تھرمل مزاحمت کا امتزاج پیش کرتا ہے۔

سلکان کاربائیڈ (SiC) مینوفیکچرنگ کے عمل میں، ٹینٹلم کاربائیڈ کا حصہ کرسٹل کی نشوونما کے مراحل میں ایک اہم کردار ادا کرتا ہے، جہاں درجہ حرارت کو مستحکم رکھنا اور اعلیٰ پاکیزگی کے ماحول ضروری ہیں۔ SiC کرسٹل کی نمو کے لیے ایسے مواد کی ضرورت ہوتی ہے جو ساختی سالمیت پر سمجھوتہ کیے بغیر یا بڑھتے ہوئے کرسٹل کو آلودہ کیے بغیر انتہائی درجہ حرارت اور سنکنرن ماحول کا مقابلہ کر سکے۔ ٹی اے سی لیپت گریفائٹ اجزاء اپنی منفرد خصوصیات کی وجہ سے اس کام کے لیے موزوں ہیں، جو تھرمل ڈائنامکس پر قطعی کنٹرول کو قابل بناتے ہیں اور بہترین SiC کرسٹل کوالٹی میں حصہ ڈالتے ہیں۔

ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ کے فوائد:

اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت:ٹینٹلم کاربائیڈ کا پگھلنے کا نقطہ 3800 ° C سے اوپر ہے، جو اسے دستیاب درجہ حرارت کے خلاف مزاحم کوٹنگز میں سے ایک بناتا ہے۔ یہ اعلی تھرمل رواداری SiC ترقی کے عمل میں انمول ہے، جہاں مسلسل درجہ حرارت ضروری ہے۔

کیمیائی استحکام:TaC اعلی درجہ حرارت کی ترتیبات میں رد عمل والے کیمیکلز کے خلاف مضبوط مزاحمت کا مظاہرہ کرتا ہے، سلکان کاربائیڈ مواد کے ساتھ ممکنہ تعامل کو کم کرتا ہے اور ناپسندیدہ نجاستوں کو روکتا ہے۔

بہتر پائیداری اور زندگی بھر:ٹی اے سی کوٹنگ گریفائٹ سبسٹریٹ پر ایک سخت، حفاظتی تہہ فراہم کرکے اجزاء کی عمر کو نمایاں طور پر بڑھاتی ہے۔ یہ آپریشنل زندگی کو طول دیتا ہے، دیکھ بھال کی فریکوئنسی کو کم کرتا ہے، اور ڈاؤن ٹائم کو کم کرتا ہے، بالآخر پیداواری کارکردگی کو بہتر بناتا ہے۔

تھرمل شاک مزاحمت:ٹینٹلم کاربائیڈ درجہ حرارت کی تیز رفتار تبدیلیوں کے باوجود بھی اپنے استحکام کو برقرار رکھتی ہے، جو کہ SiC کرسٹل کی ترقی کے مراحل میں جہاں کنٹرول شدہ درجہ حرارت کے اتار چڑھاو عام ہوتے ہیں، میں اہم ہے۔

کم آلودگی کا امکان:کرسٹل کی پیداوار میں مادی پاکیزگی کو برقرار رکھنا بہت ضروری ہے تاکہ یہ یقینی بنایا جا سکے کہ آخر SiC کرسٹل عیب سے پاک ہیں۔ TaC کی غیر فعال نوعیت کرسٹل کی نشوونما کے ماحول کی حفاظت کرتے ہوئے ناپسندیدہ کیمیائی رد عمل یا آلودگی کو روکتی ہے۔

تکنیکی وضاحتیں:

بنیادی مواد:اعلی طہارت گریفائٹ، جہتی درستگی کے لیے صحت سے متعلق مشینی۔

کوٹنگ کا مواد:ٹینٹلم کاربائیڈ (TaC) جدید کیمیائی بخارات جمع کرنے (CVD) تکنیک کا استعمال کرتے ہوئے لاگو کیا جاتا ہے۔

آپریٹنگ درجہ حرارت کی حد:3800 ° C تک درجہ حرارت برداشت کرنے کی صلاحیت۔

طول و عرض:مخصوص فرنس کی ضروریات کو پورا کرنے کے لئے مرضی کے مطابق.

طہارت:ترقی کے دوران SiC مواد کے ساتھ کم سے کم تعامل کو یقینی بنانے کے لیے اعلیٰ پاکیزگی۔

Semicorex Tantalum Carbide Part ان کی بہترین تھرمل اور کیمیائی لچک کے لیے نمایاں ہے، خاص طور پر SiC کرسٹل گروتھ ایپلی کیشنز کے لیے تیار کیا گیا ہے۔ اعلیٰ معیار کے TaC-کوٹڈ اجزاء کو شامل کر کے، ہم اپنے صارفین کو اعلیٰ کرسٹل کوالٹی، بہتر پیداواری کارکردگی، اور کم آپریشنل اخراجات حاصل کرنے میں مدد کرتے ہیں۔ اپنی تمام سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ ضروریات کے لیے صنعت کے لیے معروف حل فراہم کرنے کے لیے Semicorex مہارت پر بھروسہ کریں۔