CVD SiC لیپت بیرل سسپٹر

Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor ایک احتیاط سے انجنیئر شدہ جزو ہے جو جدید سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے عمل، خاص طور پر epitaxy کے لیے تیار کیا گیا ہے۔ درستگی اور جدت کے ساتھ تیار کیا گیا، یہ CVD SiC Coated Barrel Susceptor بے مثال کارکردگی اور قابل اعتمادی کے ساتھ ویفرز پر سیمی کنڈکٹر مواد کی افزائش کو آسان بنانے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔

CVD SiC Coated Barrel Susceptor core میں ایک مضبوط گریفائٹ ڈھانچہ ہے، جو اپنی غیر معمولی تھرمل چالکتا اور مکینیکل طاقت کے لیے مشہور ہے۔ یہ گریفائٹ بیس سسپٹر کے لیے ایک مضبوط بنیاد کے طور پر کام کرتا ہے، جو epitaxial reactors کے مطالباتی حالات میں استحکام اور لمبی عمر کو یقینی بناتا ہے۔

گریفائٹ سبسٹریٹ کو بڑھانا کیمیکل ویپر ڈیپوزیشن (CVD) سلکان کاربائیڈ (SiC) کی ایک جدید کوٹنگ ہے۔ اس خصوصی SiC کوٹنگ کو کیمیائی بخارات جمع کرنے کے عمل کے ذریعے احتیاط سے لگایا جاتا ہے، جس کے نتیجے میں ایک یکساں اور پائیدار پرت بنتی ہے جو گریفائٹ کی سطح کو کمبل بناتی ہے۔ CVD SiC Coated Barrel Susceptor کی CVD SiC کوٹنگ epitaxial عمل کے لیے بے شمار فوائد کا تعارف کراتی ہے۔

CVD SiC Coated Barrel Susceptor کی CVD SiC کوٹنگ غیر معمولی تھرمل خصوصیات کی نمائش کرتی ہے، بشمول اعلی تھرمل چالکتا اور تھرمل استحکام۔ یہ خصوصیات ایپیٹیکسیل نمو کے دوران سیمی کنڈکٹر ویفرز کی یکساں اور درست حرارت کو یقینی بنانے میں اہم کردار ادا کرتی ہیں، اس طرح پرت کے مسلسل جمع ہونے کو فروغ دیتی ہیں اور حتمی مصنوعات میں نقائص کو کم کرتی ہیں۔

CVD SiC Coated Barrel Susceptor کے بیرل کی شکل کا ڈیزائن موثر ویفر لوڈنگ اور ان لوڈنگ کے ساتھ ساتھ ویفر کی سطح پر حرارت کی بہترین تقسیم کے لیے موزوں ہے۔ یہ ڈیزائن فیچر، CVD SiC کوٹنگ کی اعلیٰ کارکردگی کے ساتھ، epitaxial مینوفیکچرنگ آپریشنز میں بے مثال پروسیس کنٹرول اور پیداوار کی ضمانت دیتا ہے۔