GaN Epitaxy کیریئر

Semicorex GaN Epitaxy Carrier بھٹی کے اندر محفوظ طریقے سے ویفرز کی نقل و حمل میں بہترین کارکردگی کا مظاہرہ کرتا ہے جبکہ ویفر ایپیٹیکسیل عمل کے لیے انجنیئر کیا جاتا ہے۔ GaN Epitaxy Carrier اعلیٰ درجے کی، تولیدی پتلی فلموں اور جدید الیکٹرونک اور آپٹو الیکٹرانک آلات کی تیاری کے لیے ضروری ایپیٹیکسیل تہوں کے حصول کے لیے اہم ہے۔

GaN Epitaxy Carrier کے گریفائٹ سبسٹریٹ کو جدید ترین کیمیائی بخارات جمع کرنے (CVD) سلکان کاربائیڈ (SiC) کوٹنگ کے ساتھ بڑھایا گیا ہے۔ یہ SiC پرت احتیاط سے کیمیائی بخارات جمع کرنے کے ذریعے لاگو ہوتی ہے، جو کیمیاوی رد عمل کے خلاف مضبوط تحفظ فراہم کرتی ہے اور ایپیٹیکسی عمل کے دوران پہنتی ہے۔ مزید برآں، GaN Epitaxy Carrier کی SiC کوٹنگ کیریئر کی تھرمل خصوصیات کو بہتر بناتی ہے، جس سے ویفرز کو موثر اور یکساں گرم کرنے میں سہولت ملتی ہے۔ اس طرح کی یکساں حرارت سیمی کنڈکٹر ویفرز پر مستقل اور اعلیٰ معیار کی ایپیٹیکسیل تہوں کی پیداوار کے لیے ضروری ہے۔

مختلف قسم کے سیمی کنڈکٹر ویفر سائز میں فٹ ہونے کے لیے حسب ضرورت، Semicorex GaN Epitaxy Carrier مختلف پیداواری ضروریات کے لیے ایک ورسٹائل حل ہے۔ چاہے مخصوص سائز، شکلیں، یا کوٹنگ کی موٹائی کی ضرورت ہو، ہماری ٹیم کلائنٹس کے ساتھ مل کر ایک ایسا حل تیار کرتی ہے جو ان کی قطعی تصریحات کو پورا کرتا ہو اور ان کی منفرد ایپلی کیشنز کے لیے کارکردگی کو بہتر بناتا ہو۔