GaN-on-SiC سبسٹریٹ

پتلی فلم جمع کرنے کے مراحل یا ویفر ہینڈلنگ پروسیسنگ میں استعمال ہونے والے GaN-on-SiC سبسٹریٹ ویفر کیریئرز کو اعلی درجہ حرارت اور سخت کیمیائی صفائی کو برداشت کرنا ہوگا۔ Semicorex اعلی طہارت فراہم کرتا ہے SiC کوٹڈ GaN-on-SiC سبسٹریٹ سسپٹر اعلی حرارت کی مزاحمت فراہم کرتا ہے، یہاں تک کہ مسلسل ایپی پرت کی موٹائی اور مزاحمت کے لیے تھرمل یکسانیت، اور پائیدار کیمیائی مزاحمت فراہم کرتا ہے۔ فائن SiC کرسٹل کوٹنگ ایک صاف، ہموار سطح فراہم کرتی ہے، جو سنبھالنے کے لیے اہم ہے کیونکہ قدیم ویفرز اپنے پورے علاقے میں کئی مقامات پر سسپٹر سے رابطہ کرتے ہیں۔

Semicorex میں، ہم اپنے صارفین کو اعلیٰ معیار کی، کفایت شعاری کی مصنوعات فراہم کرنے پر توجہ مرکوز کرتے ہیں۔ ہمارے GaN-on-SiC سبسٹریٹ سسپٹر کو قیمت کا فائدہ ہے اور اسے بہت سی یورپی اور امریکی مارکیٹوں میں برآمد کیا جاتا ہے۔ ہمارا مقصد آپ کے طویل مدتی پارٹنر بننا ہے، مستقل معیاری مصنوعات اور غیر معمولی کسٹمر سروس فراہم کرنا۔

GaN-on-SiC سبسٹریٹ سسیپٹر کے پیرامیٹرز

GaN-on-SiC سبسٹریٹ سسپٹر کی خصوصیات

- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ دونوں پرت کی کثافت اچھی ہے اور یہ اعلی درجہ حرارت اور سنکنرن کام کرنے والے ماحول میں اچھا حفاظتی کردار ادا کر سکتی ہے۔

- سنگل کرسٹل کی نشوونما کے لیے استعمال ہونے والے سلیکون کاربائیڈ لیپت سسپٹر کی سطح بہت زیادہ چپٹی ہوتی ہے۔

- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ پرت کے درمیان تھرمل ایکسپینشن گتانک میں فرق کو کم کریں، کریکنگ اور ڈیلامینیشن کو روکنے کے لیے بانڈنگ کی طاقت کو مؤثر طریقے سے بہتر کریں۔

- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ دونوں تہہ میں اعلی تھرمل چالکتا، اور بہترین گرمی کی تقسیم کی خصوصیات ہیں۔

- اعلی پگھلنے کا نقطہ، اعلی درجہ حرارت آکسیکرن مزاحمت، سنکنرن مزاحمت.