ایل پی ای کے لیے ہاف مون پارٹ

ایل پی ای کے لیے سیمیکوریکس ہاف مون پارٹ ٹینٹلم کاربائیڈ (TaC) کے ساتھ لیپت کردہ ایک خصوصی گریفائٹ جزو ہے، جو LPE کمپنی کے ری ایکٹرز، خاص طور پر SiC ایپیٹیکسی عمل میں استعمال کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ پروڈکٹ ان ہائی ٹیک ری ایکٹرز میں درست کارکردگی کو یقینی بنانے میں اہم کردار ادا کرتی ہے، جو سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کے لیے اعلیٰ معیار کے SiC سبسٹریٹس تیار کرنے کے لیے لازمی ہیں۔ اپنی غیر معمولی پائیداری، تھرمل استحکام، اور کیمیائی سنکنرن کے خلاف مزاحمت کے لیے جانا جاتا ہے، یہ جزو LPE ری ایکٹر ماحول کے اندر SiC کرسٹل کی ترقی کو بہتر بنانے کے لیے ضروری ہے۔

مواد کی ساخت اور کوٹنگ ٹیکنالوجی

ہائی پرفارمنس گریفائٹ سے بنایا گیا، ہاف مون پارٹ کو ٹینٹلم کاربائیڈ (TaC) کی ایک تہہ کے ساتھ لیپت کیا گیا ہے، یہ مواد اپنے اعلی تھرمل جھٹکا مزاحمت، سختی اور کیمیائی استحکام کے لیے مشہور ہے۔ یہ کوٹنگ گریفائٹ سبسٹریٹ کی مکینیکل خصوصیات کو بڑھاتی ہے، اسے پائیدار اور پہننے کی مزاحمت فراہم کرتی ہے، جو ایل پی ای ری ایکٹر کے اعلی درجہ حرارت اور کیمیائی طور پر جارحانہ ماحول میں اہم ہے۔

ٹینٹلم کاربائیڈ ایک انتہائی ریفریکٹری سیرامک ​​مواد ہے جو بلند درجہ حرارت پر بھی اپنی ساختی سالمیت کو برقرار رکھتا ہے۔ کوٹنگ آکسیکرن اور سنکنرن کے خلاف حفاظتی رکاوٹ کے طور پر کام کرتی ہے، بنیادی گریفائٹ کی حفاظت کرتی ہے اور جزو کی آپریشنل عمر کو بڑھاتی ہے۔ مواد کا یہ امتزاج اس بات کو یقینی بناتا ہے کہ ہاف مون پارٹ LPE ری ایکٹرز میں کئی چکروں میں قابل اعتماد اور مستقل کارکردگی کا مظاہرہ کرتا ہے، جس سے ڈاؤن ٹائم اور دیکھ بھال کے اخراجات کم ہوتے ہیں۔

ایل پی ای ری ایکٹرز میں درخواستیں۔

ایل پی ای ری ایکٹر میں، ہاف مون پارٹ epitaxial نمو کے عمل کے دوران SiC سبسٹریٹس کی درست پوزیشننگ اور سپورٹ کو برقرار رکھنے میں اہم کردار ادا کرتا ہے۔ اس کا بنیادی کام ایک ساختی جزو کے طور پر کام کرنا ہے جو SiC ویفرز کی درست سمت کو برقرار رکھنے میں مدد کرتا ہے، یکساں جمع اور اعلیٰ معیار کے کرسٹل کی نمو کو یقینی بناتا ہے۔ ری ایکٹر کے اندرونی ہارڈویئر کے حصے کے طور پر، ہاف مون پارٹ تھرمل اور مکینیکل دباؤ کو برداشت کر کے سسٹم کے ہموار آپریشن میں حصہ ڈالتا ہے جبکہ SiC کرسٹل کے لیے بہترین نشوونما کے حالات کی حمایت کرتا ہے۔

ایل پی ای ری ایکٹرز، جو ایس آئی سی کی افزائشی نشوونما کے لیے استعمال ہوتے ہیں، ایسے اجزاء کی ضرورت ہوتی ہے جو زیادہ درجہ حرارت، کیمیائی نمائش، اور مسلسل آپریشنل سائیکلوں سے وابستہ مطالباتی حالات کا مقابلہ کر سکیں۔ ہاف مون پارٹ، اپنی TaC کوٹنگ کے ساتھ، ان حالات میں قابل اعتماد کارکردگی فراہم کرتا ہے، آلودگی کو روکتا ہے اور اس بات کو یقینی بناتا ہے کہ SiC سبسٹریٹس مستحکم رہیں اور ری ایکٹر کے اندر منسلک ہوں۔

اہم خصوصیات اور فوائد

• اعلی درجہ حرارت کا استحکام: ٹی اے سی کوٹنگ غیر معمولی تھرمل استحکام فراہم کرتی ہے، جس سے ہاف مون پارٹ ایل پی ای ری ایکٹر کے ماحول میں موجود انتہائی درجہ حرارت کو بغیر کسی کمی کے برداشت کرنے کے قابل بناتا ہے۔
• کیمیائی مزاحمت: حفاظتی ٹی اے سی پرت اس بات کو یقینی بناتی ہے کہ ہاف مون پارٹ ری ایکٹیو گیسوں، بخارات، اور دیگر سنکنرن عناصر کے کیمیائی حملے کے خلاف مزاحمت کرتا ہے۔
• بہتر پہننے کی مزاحمت: TaC کوٹنگ کی سختی اور سختی مکینیکل پہننے کے لیے اجزاء کی مزاحمت کو نمایاں طور پر بہتر کرتی ہے، تبدیلی کی فریکوئنسی کو کم کرتی ہے اور مسلسل کارکردگی کو یقینی بناتی ہے۔
• اعلیٰ حرارتی چالکتا: گریفائٹ اپنی بہترین تھرمل چالکتا کے لیے جانا جاتا ہے، جو ری ایکٹر کے آپریشن کے دوران ہاف مون پارٹ کو گرمی کو ختم کرنے میں انتہائی موثر بناتا ہے۔ یہ درجہ حرارت کی یکساں تقسیم کو برقرار رکھنے میں مدد کرتا ہے اور مسلسل SiC ترقی کے معیار کو یقینی بناتا ہے۔
• حسب ضرورت ڈیزائن: ہاف مون پارٹ مختلف ایل پی ای ری ایکٹرز کی مخصوص ضروریات کو پورا کرنے کے لیے تیار کیا جا سکتا ہے، جو سیمی کنڈکٹر مینوفیکچررز کے لیے لچک پیش کرتا ہے اور ری ایکٹر کنفیگریشنز کی ایک رینج کے ساتھ مطابقت فراہم کرتا ہے۔
• بہتر کرسٹل کوالٹی: ہاف مون پارٹ کی طرف سے فراہم کردہ SiC ویفرز کی درست سیدھ اور پوزیشننگ اعلی معیار کے کرسٹل کی ترقی کے لیے ضروری ہے۔ مکینیکل خلل اور آلودگی میں کمی اس بات کو یقینی بناتی ہے کہ عمل کے دوران بننے والی ایپیٹیکسیل تہوں میں کم سے کم نقائص ہوں۔

سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں درخواستیں

ایل پی ای کے لیے ہاف مون پارٹ بنیادی طور پر سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں استعمال ہوتا ہے، خاص طور پر سی سی ویفرز اور ایپیٹیکسیل لیئرز کی تیاری میں۔ Silicon Carbide (SiC) اعلی کارکردگی والے پاور الیکٹرانکس کی ترقی میں ایک اہم مواد ہے، جیسے کہ اعلی کارکردگی والے پاور سوئچز، LED ٹیکنالوجیز، اور اعلی درجہ حرارت کے سینسر۔ یہ اجزاء توانائی، آٹوموٹیو، ٹیلی کمیونیکیشن، اور صنعتی شعبوں میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں، جہاں SiC کی اعلیٰ تھرمل چالکتا، ہائی بریک ڈاؤن وولٹیج، اور وسیع بینڈ گیپ اسے ایپلی کیشنز کی مانگ کے لیے ایک مثالی مواد بناتے ہیں۔

ہاف مون پارٹ کم خرابی کی کثافت اور اعلی پاکیزگی کے ساتھ SiC ویفرز کی تیاری کے لیے لازمی ہے، جو SiC پر مبنی آلات کی کارکردگی اور قابل اعتماد کے لیے ضروری ہیں۔ اس بات کو یقینی بنا کر کہ ایس آئی سی ویفرز کو ایپیٹیکسی کے عمل کے دوران درست سمت میں برقرار رکھا گیا ہے، ہاف مون پارٹ کرسٹل کی نشوونما کے عمل کی مجموعی کارکردگی اور معیار کو بڑھاتا ہے۔

ایل پی ای کے لیے سیمیکوریکس ہاف مون پارٹ، اس کی ٹی اے سی کوٹنگ اور گریفائٹ بیس کے ساتھ، ایل پی ای ری ایکٹرز میں ایک اہم جزو ہے جو SiC ایپیٹیکسی کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ اس کا بہترین تھرمل استحکام، کیمیائی مزاحمت، اور مکینیکل استحکام اسے اعلیٰ معیار کے SiC کرسٹل کی ترقی کو یقینی بنانے میں کلیدی کھلاڑی بناتا ہے۔ عین مطابق ویفر پوزیشننگ کو برقرار رکھنے اور آلودگی کے خطرے کو کم کرکے، ہاف مون پارٹ SiC ایپیٹیکسی عمل کی مجموعی کارکردگی اور پیداوار کو بڑھاتا ہے، جس سے اعلیٰ کارکردگی والے سیمی کنڈکٹر مواد کی تیاری میں مدد ملتی ہے۔ جیسا کہ SiC پر مبنی مصنوعات کی مانگ میں مسلسل اضافہ ہو رہا ہے، ہاف مون پارٹ کی طرف سے فراہم کردہ قابل اعتماد اور لمبی عمر سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجیز کی مسلسل ترقی کے لیے ضروری رہے گی۔