Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor

Semicorex Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor ایک گریفائٹ پروڈکٹ ہے جس میں ہائی پیوریفائیڈ SIC کے ساتھ لیپت کیا گیا ہے، جس میں زیادہ گرمی اور سنکنرن مزاحمت ہے۔ سی وی ڈی سلکان کاربائیڈ لیپت کیریئر ایسے عمل میں استعمال ہوتا ہے جو سیمی کنڈکٹر ویفرز پر ایپیٹیکسیل تہہ بناتا ہے، جس میں تھرمل چالکتا زیادہ ہے، اور بہترین حرارت کی تقسیم کی خصوصیات ہیں۔
ہمارا Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor بہترین لیمینر گیس فلو پیٹرن حاصل کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے، جس سے تھرمل پروفائل کی یکسانیت کو یقینی بنایا گیا ہے۔ یہ کسی بھی قسم کی آلودگی یا نجاست کے پھیلاؤ کو روکنے میں مدد کرتا ہے، جس سے ویفر چپ پر اعلیٰ معیار کے ایپیٹیکسیل نمو کو یقینی بنایا جاتا ہے۔
ہمارے Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor کے بارے میں مزید جاننے کے لیے آج ہی ہم سے رابطہ کریں۔

Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor کے پیرامیٹرز

Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor کی خصوصیات

- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ دونوں پرت کی کثافت اچھی ہے اور یہ اعلی درجہ حرارت اور سنکنرن کام کرنے والے ماحول میں اچھا حفاظتی کردار ادا کر سکتی ہے۔
- سنگل کرسٹل کی نشوونما کے لیے استعمال ہونے والے سلیکون کاربائیڈ لیپت سسپٹر کی سطح بہت زیادہ چپٹی ہوتی ہے۔
- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ پرت کے درمیان تھرمل ایکسپینشن گتانک میں فرق کو کم کریں، کریکنگ اور ڈیلامینیشن کو روکنے کے لیے بانڈنگ کی طاقت کو مؤثر طریقے سے بہتر کریں۔
- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ دونوں تہہ میں اعلی تھرمل چالکتا، اور بہترین گرمی کی تقسیم کی خصوصیات ہیں۔
- اعلی پگھلنے کا نقطہ، اعلی درجہ حرارت آکسیکرن مزاحمت، سنکنرن مزاحمت.