Semicorex RTP/RTA SiC کوٹنگ کیریئر کو جمع کرنے والے ماحول کی سخت ترین حالتوں کا مقابلہ کرنے کے لیے بنایا گیا ہے۔ اس کی اعلی گرمی اور سنکنرن مزاحمت کے ساتھ، اس پروڈکٹ کو ایپیٹیکسیل ترقی کے لیے بہترین کارکردگی فراہم کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ SiC کوٹڈ کیریئر میں اعلی تھرمل چالکتا اور بہترین حرارت کی تقسیم کی خصوصیات ہیں، جو RTA، RTP، یا سخت کیمیائی صفائی کے لیے قابل اعتماد کارکردگی کو یقینی بناتی ہیں۔
MOCVD ایپیٹیکسیل گروتھ کے لیے ہمارا RTP/RTA SiC کوٹنگ کیریئر ویفر ہینڈلنگ اور ایپیٹیکسیل گروتھ پروسیسنگ کے لیے بہترین حل ہے۔ ہموار سطح اور کیمیائی صفائی کے خلاف اعلی پائیداری کے ساتھ، یہ پروڈکٹ سخت جمع کرنے والے ماحول میں قابل اعتماد کارکردگی پیش کرتی ہے۔
ہمارے RTP/RTA SiC کوٹنگ کیرئیر کا مواد دراڑیں اور ڈیلامینیشن کو روکنے کے لیے بنایا گیا ہے، جب کہ اعلیٰ گرمی کی مزاحمت اور تھرمل یکسانیت RTA، RTP، یا سخت کیمیائی صفائی کے لیے مستقل کارکردگی کو یقینی بناتی ہے۔
ہمارے RTP/RTA SiC کوٹنگ کیریئر کے بارے میں مزید جاننے کے لیے آج ہی ہم سے رابطہ کریں۔
RTP/RTA SiC کوٹنگ کیریئر کے پیرامیٹرز
CVD-SIC کوٹنگ کی اہم تفصیلات |
||
SiC-CVD پراپرٹیز |
||
کرسٹل کا ڈھانچہ |
ایف سی سی β مرحلہ |
|
کثافت |
g/cm ³ |
3.21 |
سختی |
Vickers سختی |
2500 |
اناج کا سائز |
¼m |
2~10 |
کیمیائی طہارت |
% |
99.99995 |
حرارت کی صلاحیت |
J·kg-1 · K-1 |
640 |
Sublimation درجہ حرارت |
℃ |
2700 |
Felexural طاقت |
MPa (RT 4 پوائنٹ) |
415 |
نوجوان کا ماڈیولس |
Gpa (4pt موڑ، 1300â) |
430 |
حرارتی توسیع (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
حرارت کی ایصالیت |
(W/mK) |
300 |
RTP/RTA SiC کوٹنگ کیریئر کی خصوصیات
اعلی طہارت SiC لیپت گریفائٹ
اعلی گرمی کی مزاحمت اور تھرمل یکسانیت
ہموار سطح کے لیے فائن SiC کرسٹل لیپت
کیمیائی صفائی کے خلاف اعلی استحکام
مواد کو ڈیزائن کیا گیا ہے تاکہ دراڑیں اور ڈیلامینیشن نہ ہو۔