sic- لیپت گریفائٹ مصلوب

اعلی درجہ حرارت کرسٹل نمو کی بھٹیوں کے مرکز میں نصب کیا گیا ،sic- لیپتگریفائٹ مصلوب ہیٹر ، تھرمل موصلیت کی آستینوں ، فلو گائیڈ ٹیوبوں ، اور مکمل تھرمل فیلڈ سسٹم کی تشکیل کے ل cruc کروسیبل شافٹ کے ساتھ مل کر کام کرتے ہیں۔ یہ تھرمل فیلڈ سسٹم کرسٹل نمو کے ل essential ضروری مستحکم اعلی درجہ حرارت کے ماحول کو برقرار رکھ سکتا ہے۔

ایس آئی سی لیپت کی پیداوارگریفائٹ مصلوبعام طور پر جدید کیمیائی بخارات جمع کرنے والی ٹکنالوجی کے استعمال سے شروع ہوتا ہے تاکہ یکساں طور پر ایک گھنے کو جمع کیا جاسکےسلیکن کاربائڈتشکیل شدہ گریفائٹ سبسٹریٹ کی سطح پر کوٹنگ۔ اعلی طہارت پر مشتمل ہےگرافائٹسبسٹریٹ اور گھنے سلیکن کاربائڈ کوٹنگ ، ایس آئی سی لیپت گریفائٹ کروسیئبل ایک ہم آہنگی کا ڈھانچہ تشکیل دیتا ہے جو سلیکن کاربائڈ کی سنکنرن مزاحمت کے ساتھ گریفائٹ کی تھرمل چالکتا کو جوڑتا ہے۔

czochralski طریقہ کرسٹل نمو کے لئے عالمگیر صنعتی تکنیک ہے۔ یہ تکنیک کرسٹل پروڈکشن کے دوران مصلوب پر سینٹرفیوگل فورس کو استعمال کرے گی۔ تیز رفتار گردش کے دوران ایس آئی سی لیپت گریفائٹ مصلوب کی اعلی لچکدار طاقت اور سختی کو تیز رفتار گردش کے دوران ٹوٹ پھوٹ یا کریکنگ کو روک سکتا ہے ، جس سے مؤثر طریقے سے نقصان کی وجہ سے پیداواری رکاوٹوں کو کم کیا جاسکتا ہے۔ مزید برآں ، مصلوب کو اس عمل کے دوران مختصر مدت کے اندر درجہ حرارت کے سخت اتار چڑھاو سے گزرنے کی ضرورت ہے۔ ان کی قابل ذکر تھرمل جھٹکا مزاحمت کے لئے شکریہ ، ایس آئی سی لیپت گریفائٹ مصلوب تھرمل تناؤ سے متعلق ساختی نقصان کو کم کرسکتے ہیں ، ان کی شکل کے استحکام کو یقینی بناتے ہیں ، اور اس طرح کرسٹل نمو کے نقائص کو کم کر سکتے ہیں جس کی وجہ سے مصیبت خراب ہونے کی وجہ سے ہے۔

اعلی درجہ حرارت کے تحت ، ایس آئی سی لیپت گریفائٹ مصلوب سلیکن کاربائڈ کی گھنے حفاظتی پرت تشکیل دیں گے۔ یہ حفاظتی پرت سلیکن بخارات اور پگھلے ہوئے سلیکن سے گریفائٹ سبسٹریٹ کو الگ تھلگ کرسکتی ہے ، اس طرح کوٹنگ کے چھلکے سے وابستہ گریفائٹ سبسٹریٹ سنکنرن اور کرسٹل آلودگی کے خطرات کو کم سے کم کرسکتی ہے۔ لہذا ، سیمیکوریکس کے ایس آئی سی لیپت گریفائٹ مصلوب اصل آپریشن میں توسیعی ادوار کے ل various مختلف پیچیدہ اعلی درجہ حرارت کے سنکنرن ماحول کا مقابلہ کرسکتے ہیں۔ یہ مستقل کرسٹل ساخت کو یقینی بناتا ہے اور عیب کی شرحوں کو کم کرتا ہے ، یہ دونوں ہی اعلی معیار کے سیمیکمڈکٹر کرسٹل کی تیاری کے لئے ضروری ہیں۔