چین SiC سبسٹریٹ مینوفیکچررز، سپلائرز، فیکٹری

سیمی کنڈکٹر مواد کے ایک پتلے ٹکڑے کو ویفر کہا جاتا ہے، جو انتہائی خالص سنگل کرسٹل مواد سے بنا ہوتا ہے۔ Czochralski عمل میں، ایک انتہائی خالص مونوکریسٹل لائن سیمی کنڈکٹر کا ایک بیلناکار انگوٹ ایک پگھلنے سے بیج کرسٹل کو کھینچ کر بنایا جاتا ہے۔

Silicon Carbide (SiC) اور اس کی پولی ٹائپ ایک طویل عرصے سے انسانی تہذیب کا حصہ رہے ہیں۔ اس سخت اور مستحکم کمپاؤنڈ کی تکنیکی دلچسپی 1885 اور 1892 میں کاؤلیس اور ایچیسن نے پیسنے اور کاٹنے کے مقاصد کے لیے حاصل کی، جس کی وجہ سے اس کی بڑے پیمانے پر تیاری ہوئی۔

بہترین جسمانی اور کیمیائی خصوصیات سلکان کاربائیڈ (SiC) کو متعدد ایپلی کیشنز کے لیے ایک نمایاں امیدوار بناتی ہیں، بشمول اعلی درجہ حرارت، ہائی پاور، اور ہائی فریکوئنسی اور آپٹو الیکٹرانک آلات، فیوژن ری ایکٹرز میں ساختی جزو، گیس سے ٹھنڈا ہونے کے لیے کلیڈنگ مواد۔ فیشن ری ایکٹر، اور Pu کے ٹرانسمیوٹیشن کے لیے ایک انرٹ میٹرکس۔ SiC کی مختلف پولی قسمیں جیسے 3C، 6H، اور 4H بڑے پیمانے پر استعمال کی گئی ہیں۔ آئن امپلانٹیشن ایک اہم تکنیک ہے جس میں سی پر مبنی آلات کی تیاری کے لیے ڈوپینٹس کو منتخب طور پر متعارف کرایا جاتا ہے، تاکہ p-type اور n-type SiC wafers کو تیار کیا جا سکے۔

پنڈپھر سلکان کاربائیڈ SiC wafers بنانے کے لیے کاٹا جاتا ہے۔

سلیکن کاربائیڈ میٹریل پراپرٹیز

مختلف قسم کے SiC ویفرز

تین قسمیں ہیں:n-type sic wafer, p-type sic waferاوراعلی طہارت نیم موصل سی ویفر. ڈوپنگ سے مراد آئن امپلانٹیشن ہے جو سلکان کرسٹل میں نجاست کو متعارف کراتی ہے۔ یہ ڈوپینٹس کرسٹل کے ایٹموں کو آئنک بانڈز بنانے کی اجازت دیتے ہیں، جو کبھی اندرونی کرسٹل کو خارجی بنا دیتے ہیں۔ یہ عمل دو قسم کی نجاستوں کو متعارف کراتا ہے۔ این ٹائپ اور پی ٹائپ۔ یہ جو 'قسم' بنتی ہے اس کا انحصار کیمیائی رد عمل پیدا کرنے کے لیے استعمال ہونے والے مواد پر ہوتا ہے۔ N-type اور P-type SiC wafer کے درمیان فرق بنیادی مواد ہے جو ڈوپنگ کے دوران کیمیائی رد عمل پیدا کرنے کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ استعمال شدہ مواد پر منحصر ہے، بیرونی مدار میں یا تو پانچ یا تین الیکٹران ہوں گے جو ایک منفی چارج شدہ (N-type) اور ایک مثبت چارج شدہ (P-type) ہیں۔

N-type SiC wafers بنیادی طور پر نئی انرجی گاڑیوں، ہائی وولٹیج ٹرانسمیشن اور سب سٹیشن، سفید سامان، تیز رفتار ٹرینوں، موٹرز، فوٹو وولٹک انورٹرز، پلس پاور سپلائی وغیرہ میں استعمال ہوتے ہیں۔ ان کے آلات توانائی کے نقصان کو کم کرنے، بہتر بنانے کے فوائد ہیں۔ سازوسامان کی وشوسنییتا، سازوسامان کے سائز کو کم کرنا اور آلات کی کارکردگی کو بہتر بنانا، اور پاور الیکٹرانک آلات بنانے میں ناقابل تلافی فوائد ہیں۔

اعلی طہارت کا نیم موصل سی سی ویفر بنیادی طور پر ہائی پاور آر ایف ڈیوائسز کے سبسٹریٹ کے طور پر استعمال ہوتا ہے۔

ایپیٹیکسی - III-V نائٹرائڈ جمع

SiC، GaN، AlxGa1-xN اور InyGa1-yN ایپیٹیکسیل پرتیں SiC سبسٹریٹ یا سیفائر سبسٹریٹ پر۔