سلیکن کاربائیڈ ICP اینچنگ کیریئر

اینچنگ کے عمل کے لیے ایک قابل اعتماد ویفر کیریئر کی تلاش ہے؟ Semicorex کے Silicon Carbide ICP Etching Carrier سے آگے نہ دیکھیں۔ ہماری مصنوعات کو اعلی درجہ حرارت اور سخت کیمیائی صفائی کو برداشت کرنے کے لیے انجنیئر کیا گیا ہے، جس سے پائیداری اور لمبی عمر کو یقینی بنایا گیا ہے۔ صاف اور ہموار سطح کے ساتھ، ہمارا کیریئر قدیم ویفرز کو سنبھالنے کے لیے بہترین ہے۔

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

Semicorex کے Silicon Carbide ICP Etching Carrier کے ساتھ بہترین لیمینر گیس کے بہاؤ کے نمونوں اور تھرمل پروفائل کی یکسانیت کو یقینی بنائیں۔ ہماری مصنوعات کو پتلی فلم جمع کرنے اور ویفر ہینڈلنگ کے عمل کے لیے بہترین ممکنہ نتائج حاصل کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ اعلی گرمی اور سنکنرن مزاحمت کے ساتھ، ہمارا کیریئر ایپلی کیشنز کا مطالبہ کرنے کے لیے بہترین انتخاب ہے۔

Semicorex میں، ہم اپنے صارفین کو اعلیٰ معیار کی، کفایت شعاری کی مصنوعات فراہم کرنے پر توجہ مرکوز کرتے ہیں۔ ہمارے Silicon Carbide ICP Etching Carrier کی قیمت کا فائدہ ہے اور اسے کئی یورپی اور امریکی مارکیٹوں میں برآمد کیا جاتا ہے۔ ہمارا مقصد آپ کے طویل مدتی پارٹنر بننا ہے، مستقل معیاری مصنوعات اور غیر معمولی کسٹمر سروس فراہم کرنا۔

ہمارے Silicon Carbide ICP Etching Carrier کے بارے میں مزید جاننے کے لیے آج ہی ہم سے رابطہ کریں۔

سلیکن کاربائیڈ ICP اینچنگ کیریئر کے پیرامیٹرز

CVD-SIC کوٹنگ کی اہم تفصیلات
SiC-CVD پراپرٹیز
کرسٹل کا ڈھانچہ	ایف سی سی β مرحلہ
کثافت	g/cm ³	3.21
سختی	Vickers سختی	2500
اناج کا سائز	μm	2~10
کیمیائی طہارت	%	99.99995
حرارت کی صلاحیت	J kg-1 K-1	640
Sublimation درجہ حرارت	℃	2700
Felexural طاقت	MPa (RT 4 پوائنٹ)	415
ینگ کا ماڈیولس	Gpa (4pt موڑ، 1300℃)	430
حرارتی توسیع (C.T.E)	10-6K-1	4.5
تھرمل چالکتا	(W/mK)	300