ٹی اے سی کوٹنگ اپر ہاف مون

Semicorex TaC کوٹنگ اپر ہاف مون ایک خاص طور پر ڈیزائن کیا گیا جزو ہے جو سیمی کنڈکٹر پروڈکشن کے دائرے میں اعلیٰ کارکردگی والے ایپیٹیکسیل پروسیسز کو حاصل کرنے کے لیے تیار کیا گیا ہے۔ TaC کوٹنگ اپر ہاف مون پیس کو بغیر کسی رکاوٹ کے epitaxial ری ایکٹرز میں فٹ کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے، انتہائی پائیداری اور استحکام فراہم کرتا ہے۔

TaC کوٹنگ اعلی درجہ حرارت کے خلاف بہترین مزاحمت پیش کرتی ہے، جس سے TaC کوٹنگ اپر ہاف مون کو ایپیٹیکسیل پروسیس کے مطالبے والے تھرمل ماحول کے لیے مثالی بناتی ہے۔ یہ مستقل کارکردگی اور لمبی عمر کو یقینی بناتا ہے، تبدیلیوں کی فریکوئنسی اور ڈاؤن ٹائم کو کم کرتا ہے۔ TaC کوٹنگ اپر ہافمون corrosive گیسوں اور کیمیکلز کو برداشت کر سکتی ہے جو عام طور پر epitaxial گروتھ میں استعمال ہوتے ہیں، جزو کی سالمیت کی حفاظت کرتے ہیں اور عمل کی پاکیزگی کو برقرار رکھتے ہیں۔

ہموار اور یکساں ٹی اے سی کوٹنگ نقائص اور نجاست کو کم کرکے اپیٹیکسیل تہوں کے معیار کو بہتر بناتی ہے۔ یہ اعلی پیداوار کی شرح اور سیمی کنڈکٹر آلات کی اعلی الیکٹرانک خصوصیات میں حصہ ڈالتا ہے۔ تھرمل اور کیمیائی مزاحمت کا امتزاج TaC کوٹنگ اپر ہاف مون کی آپریشنل زندگی کو بڑھاتا ہے، جو سیمی کنڈکٹر فیبریکیشن میں اعلی تھرو پٹ اور کارکردگی کو برقرار رکھنے کے لیے ایک سرمایہ کاری مؤثر حل فراہم کرتا ہے۔

درخواستیں:

اعلی درجہ حرارت کیمیکل بخارات جمع کرنے (CVD) کے عمل

سلکان کاربائیڈ (SiC) اور گیلیم نائٹرائڈ (GaN) ایپیٹیکسی

تکنیکی وضاحتیں:

مواد: ٹینٹلم کاربائیڈ (ٹی اے سی) کوٹنگ

درجہ حرارت کی حد: 2200 ° C تک

کیمیائی مزاحمت: HF، HCl، اور دیگر سنکنرن گیسوں کے خلاف بہترین

طول و عرض: مخصوص ری ایکٹر ماڈلز کو فٹ کرنے کے لیے مرضی کے مطابق

Semicorex TaC کوٹنگ اپر ہاف مون بہتر کارکردگی اور کم آلودگی کے خطرات کے ساتھ اعلیٰ معیار کی ایپیٹیکسیل تہوں کو حاصل کرنے کے لیے ایک لازمی جزو ہے۔ اس کی جدید مادی خصوصیات اور درست انجینئرنگ اسے سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں ایک قیمتی اثاثہ بناتی ہے، جو اگلی نسل کے الیکٹرانک آلات کی تیاری میں معاون ہے۔