TaC ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت پلیٹ

Semicorex TaC Tantalum Carbide Coated Plate ایک جدید حل ہے جو سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے سخت تقاضوں کو پورا کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے، خاص طور پر epitaxial (epi) پروسیسنگ مرحلے میں۔ اس خصوصی پلیٹ میں ایک گریفائٹ بیس موجود ہے جو ٹینٹلم کاربائیڈ (TaC) کے ساتھ احتیاط سے لیپت ہے، جو ایک لچکدار اور اعلیٰ کارکردگی والی سطح بناتی ہے۔

TaC ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹیڈ پلیٹ کا بنیادی مقصد سیمی کنڈکٹر فیبریکیشن میں ایک اہم جزو کے طور پر کام کرنا ہے، جہاں یہ فرنس کے اندر اعلی درجہ حرارت کے عمل کے دوران ویفرز کی مدد اور حفاظت میں اہم کردار ادا کرتا ہے۔ ٹی اے سی کوٹنگ نہ صرف گرمی کی غیر معمولی مزاحمت فراہم کرتی ہے بلکہ سنکنرن کیمیائی ماحول کے خلاف مضبوط تحفظ بھی فراہم کرتی ہے، جس سے سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ کے چیلنجنگ حالات میں پلیٹ کی لمبی عمر اور بھروسے کو یقینی بنایا جاتا ہے۔

ایپی پروسیسنگ میں، جہاں سیمی کنڈکٹر مواد کی پتلی تہوں کو ویفر کی سطح پر جمع کیا جاتا ہے، ٹی اے سی ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت پلیٹ ایک مستحکم پلیٹ فارم کے طور پر کام کرتی ہے، مؤثر طریقے سے ویفر کو محفوظ طریقے سے اپنی جگہ پر رکھتی ہے۔ پلیٹ کی تھرمل استحکام اور کیمیائی رد عمل کے خلاف مزاحمت اسے ویفر کی سالمیت کو برقرار رکھنے اور مینوفیکچرنگ کے اہم مراحل کے دوران آلودگی کو روکنے کے لیے ایک بہترین انتخاب بناتی ہے۔

TaC ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت پلیٹ کی اہم خصوصیات میں اس کی غیر معمولی تھرمل چالکتا، کیمیائی سنکنرن کے خلاف مزاحمت، اور مکینیکل پائیداری شامل ہے۔ یہ اوصاف اجتماعی طور پر پلیٹ کی انتہائی حالات کو برداشت کرنے کی صلاحیت میں حصہ ڈالتے ہیں، جس سے یہ سیمی کنڈکٹر فیبریکیشن کے پیچیدہ اور نازک عمل میں ایک ناگزیر جزو بن جاتا ہے۔

Semicorex TaC ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹڈ پلیٹ ایک جدید حل کے طور پر کھڑی ہے جو سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں ایپی پروسیسنگ کے منفرد چیلنجوں سے نمٹتی ہے۔ اس کا جدید ڈیزائن اور مادی ساخت اسے سیمی کنڈکٹر آلات کی درستگی اور بھروسے کو یقینی بنانے کے لیے ایک ضروری ٹول بناتی ہے، جو بالآخر مختلف ایپلی کیشنز میں ٹیکنالوجی کی ترقی میں معاون ہے۔