این قسم کا سلکان کاربائیڈ پاؤڈر

Semicorex N-type Silicon Carbide پاؤڈر (SiC) ایک اعلیٰ پاکیزگی، ڈوپڈ SiC مواد ہے جو خاص طور پر کرسٹل کی ترقی کے جدید ایپلی کیشنز کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ Semicorex مسابقتی قیمتوں پر معیاری مصنوعات فراہم کرنے کے لیے پرعزم ہے، ہم چین میں آپ کے طویل مدتی شراکت دار بننے کے منتظر ہیں۔

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

Semicorex N-type Silicon Carbide پاؤڈر (SiC) ایک اعلیٰ پاکیزگی، ڈوپڈ SiC مواد ہے جو خاص طور پر کرسٹل کی ترقی کے جدید ایپلی کیشنز کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ یہ این قسم کا سلیکون کاربائیڈ پاؤڈر اپنی اعلیٰ برقی خصوصیات اور ساختی سالمیت کی خصوصیت رکھتا ہے، جو اسے مختلف اعلیٰ کارکردگی والے سیمی کنڈکٹر آلات میں استعمال ہونے والے سلکان کاربائیڈ کرسٹل کی تیاری کے لیے ایک مثالی انتخاب بناتا ہے۔

N-type Silicon Carbide پاؤڈر کو نائٹروجن (N) کے ساتھ ڈوپ کیا جاتا ہے، جو SiC کرسٹل جالی میں اضافی مفت الیکٹران متعارف کرواتا ہے، اس کی برقی چالکتا کو بڑھاتا ہے۔ یہ این قسم کی ڈوپنگ ان ایپلی کیشنز کے لیے بہت اہم ہے جن کو عین الیکٹرانک خصوصیات کی ضرورت ہوتی ہے۔ N-type Silicon Carbide پاؤڈر اعلی پاکیزگی کی سطح کو حاصل کرنے کے لیے صاف کرنے کے سخت عمل سے گزرتا ہے، جس سے نجاست کی موجودگی کو کم کیا جاتا ہے جو کرسٹل کی نشوونما کے عمل اور حتمی مصنوعات کی کارکردگی کو متاثر کر سکتے ہیں۔

Semicorex N-type Silicon Carbide پاؤڈر باریک، یکساں سائز کے ذرات پر مشتمل ہوتا ہے جو یکساں کرسٹل نمو کو فروغ دیتے ہیں اور سلکان کاربائیڈ کرسٹل کے مجموعی معیار کو بہتر بناتے ہیں۔

بنیادی طور پر سلکان کاربائیڈ کرسٹل کی افزائش میں استعمال کیا جاتا ہے، یہ این قسم کا سلکان کاربائیڈ پاؤڈر ہائی پاور الیکٹرانک آلات، اعلی درجہ حرارت کے سینسر اور مختلف آپٹو الیکٹرانک اجزاء کی تیاری میں لازمی ہے۔ یہ سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کے اندر تحقیق اور ترقی میں استعمال کے لیے بھی موزوں ہے۔

خصوصیات

ماڈل	طہارت	پیکنگ کثافت	D10	ڈی 50	D90
SiC-N-S	>6N	<1.7 گرام/cm3	100μm	300μm	500μm
SiC-N-M	>6N	<1.3g/cm3	500μm	1000μm	2000μm
SiC-N-L	>6N	<1.3g/cm3	1000μm	1500μm	2500μm