SiC- Coated Epitaxial Susceptors

سیمی کنڈکٹرسبسٹریٹسگیس کے بہاؤ کی سمت (افقی اور عمودی)، درجہ حرارت، دباؤ، سبسٹریٹ فکسشن، اور ذرات کی آلودگی سمیت متعدد اہم عوامل کے اثرات کی وجہ سے ایپیٹیکسیل جمع کے دوران MOCVD یا CVD آلات میں بیس پر براہ راست سیٹ نہیں کیا جا سکتا۔ اس وجہ سے، epitaxial susceptors کو MOCVD/CVD سسٹمز میں ری ایکشن چیمبر کے مرکز میں نصب کرنے کی ضرورت ہوتی ہے تاکہ سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس کو سپورٹ اور محفوظ کیا جا سکے، اس طرح کمپن یا پوزیشنی نقل مکانی کی وجہ سے ایپیٹیکسیل گروتھ کوالٹی انحطاط کو روکا جاتا ہے۔

اعلی طہارت گریفائٹ کو سیمکوریکس کے لیے میٹرکس مواد کے طور پر استعمال کیا جاتا ہے۔سی سی لیپت ایپیٹیکسیل سسپٹرز، اعلی درجے کی CVD تکنیکوں کے ذریعہ ان کی سطح پر جمع ہونے والی سلکان کاربائیڈ کوٹنگ کے ساتھ۔ Semicorex SiC-coated epitaxial susceptors epitaxial تہہ کی تشکیل کے عمل میں ناگزیر اجزاء ہیں۔ ان کا بنیادی کردار سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس پر ایپیٹیکسیل تہوں کی نشوونما کے لیے ایک مستحکم اور قابل کنٹرول آپریٹنگ ماحول فراہم کرنا ہے، جو اس طرح ویفر سطح کے معیار کی مستقل مزاجی کو یقینی بنا سکتا ہے۔

Semicorex SiC-coated epitaxial susceptors کی خصوصیات

1. 1600℃ آپریٹنگ حالات کو برداشت کرنے کے لیے اعلی درجہ حرارت کی شاندار مزاحمت۔

2. اعلی تھرمل چالکتا، سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس پر درجہ حرارت کی یکساں تقسیم کو برقرار رکھنے کے لیے تیز حرارت کی منتقلی فراہم کرتا ہے۔

3. کیمیائی تنزلی اور سنکنرن کے خلاف مزاحمت کے لیے مضبوط کیمیائی سنکنرن مزاحمت، ذیلی جگہوں اور اپیٹیکسیل تہوں کے عمل کی آلودگی سے گریز۔

4. کوٹنگ کریکنگ اور ڈیلامینیشن کی موجودگی سے بچنے کے لیے اعلیٰ تھرمل جھٹکا مزاحمت۔

5۔سطح کی غیر معمولی ہمواری، سبسٹریٹس کے لیے آرام سے فٹنگ جو خلا اور نقائص کو کم سے کم کرتی ہے۔

6. طویل خدمت زندگی، پرزوں کی تبدیلی اور دیکھ بھال کی وجہ سے وقت اور معاشی نقصانات کو کم کرنا۔

Semicorex SiC-coated epitaxial susceptors کی ایپلی کیشنز

متعدد بہترین فوائد کے ساتھ، Semicorex SiC-coated epitaxial susceptors epitaxial پتلی فلموں کی یکساں اور قابل کنٹرول نشوونما کو آسان بنانے میں اہم کردار ادا کرتے ہیں اور سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسیل ترقی کے عمل میں بڑے پیمانے پر لاگو ہوتے ہیں۔

1.GaN اپیٹیکسیل نمو

2.SiC epitaxial ترقی

3. Si epitaxial ترقی