SiC- Coated Crystal Growth Susceptor

Semicorex SiC- Coated Crystal Growth Susceptor سیمی کنڈکٹر ویفرز پر ایپیٹیکسیل تہہ کی تشکیل کے لیے بہترین انتخاب ہے، اس کی غیر معمولی تھرمل چالکتا اور حرارت کی تقسیم کی خصوصیات کی بدولت۔ اس کی اعلیٰ پاکیزگی والی SiC کوٹنگ انتہائی ضروری اعلی درجہ حرارت اور سنکنرن ماحول میں بھی اعلیٰ تحفظ فراہم کرتی ہے۔
ہمارے SiC- Coated Crystal Growth Susceptor کو بہترین لیمینر گیس فلو پیٹرن حاصل کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے، جس سے تھرمل پروفائل کی یکسانیت کو یقینی بنایا گیا ہے۔ یہ کسی بھی قسم کی آلودگی یا نجاست کے پھیلاؤ کو روکنے میں مدد کرتا ہے، جس سے ویفر چپ پر اعلیٰ معیار کے ایپیٹیکسیل نمو کو یقینی بنایا جاتا ہے۔
ہمارے SiC- Coated Crystal Growth Susceptor کے بارے میں مزید جاننے کے لیے آج ہی ہم سے رابطہ کریں۔

SiC- Coated Crystal Growth Susceptor کے پیرامیٹرز

SiC- Coated Crystal Growth Susceptor کی خصوصیات

- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ دونوں پرت کی کثافت اچھی ہے اور یہ اعلی درجہ حرارت اور سنکنرن کام کرنے والے ماحول میں اچھا حفاظتی کردار ادا کر سکتی ہے۔

- سنگل کرسٹل کی نشوونما کے لیے استعمال ہونے والے سلیکون کاربائیڈ لیپت سسیپٹر کی سطح بہت زیادہ چپٹی ہوتی ہے۔

- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ پرت کے درمیان تھرمل ایکسپینشن گتانک میں فرق کو کم کریں، کریکنگ اور ڈیلامینیشن کو روکنے کے لیے بانڈنگ کی طاقت کو مؤثر طریقے سے بہتر بنائیں۔

- گریفائٹ سبسٹریٹ اور سلکان کاربائیڈ دونوں تہوں میں اعلی تھرمل چالکتا، اور بہترین گرمی کی تقسیم کی خصوصیات ہیں۔

- اعلی پگھلنے کا نقطہ، اعلی درجہ حرارت آکسیکرن مزاحمت، سنکنرن مزاحمت.