سلیکن کاربائیڈ ویفر بوٹ

Semicorex انجینئرز آپ کے OEM سیمی فیبریکیشن ٹولز اور ویفر ہینڈلنگ پرزوں کے لیے سیمی کنڈکٹر گریڈ سیرامکس بناتے ہیں۔ ہماری سلیکون کاربائیڈ ویفر بوٹ کی قیمت کا ایک اچھا فائدہ ہے اور اس میں بہت سے یورپی اور امریکی بازاروں کا احاطہ کیا گیا ہے۔ ہم چین میں آپ کے طویل مدتی شراکت دار بننے کے منتظر ہیں۔

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

Semicorex کی Silicon Carbide Wafer Boat، جس میں انتہائی اعلیٰ پاکیزگی (99.99% تک)، بہترین پلازما مزاحمت اور حرارت کی مزاحمت، اور محدود ذرات کی موجودگی، سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ آلات کے پرزوں میں استعمال ہوتی ہے، بشمول ساختی اجزاء اور اوزار۔
Semicorex میں، ہم اعلیٰ معیار کی، سستی سیلیکون کاربائیڈ ویفر بوٹ فراہم کرنے پر توجہ مرکوز کرتے ہیں، ہم صارفین کے اطمینان کو ترجیح دیتے ہیں اور لاگت سے موثر حل فراہم کرتے ہیں۔ ہم آپ کے طویل مدتی پارٹنر بننے، اعلیٰ معیار کی مصنوعات اور غیر معمولی کسٹمر سروس کی فراہمی کے منتظر ہیں۔
ہماری سلکان کاربائیڈ ویفر بوٹ کے بارے میں مزید جاننے کے لیے آج ہی ہم سے رابطہ کریں۔

سلیکن کاربائیڈ ویفر بوٹ کے پیرامیٹرز

تکنیکی خصوصیات
انڈیکس	یونٹ	قدر
مواد کا نام		رد عمل Sintered سلیکن کاربائڈ	پریشر لیس سینٹرڈ سلکان کاربائیڈ	سلیکن کاربائیڈ کو دوبارہ ترتیب دیا گیا۔
کمپوزیشن		RBSiC	SSiC	R-SiC
بلک کثافت	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
لچکدار طاقت	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
دبانے والی طاقت	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
سختی	نوپ	2700	2800	/
بریکنگ ٹینسیٹی	ایم پی اے ایم 1/2	4.5	4	/
حرارت کی ایصالیت	W/m.k	95	120	23
تھرمل توسیع کا گتانک	10^-6.1/°C	5	4	4.7
مخصوص گرمی	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
ہوا میں زیادہ سے زیادہ درجہ حرارت	℃	1200	1500	1600
لچکدار ماڈیولس	جی پی اے	360	410	240

SSiC اور RBSiC کے درمیان فرق:

1. سنٹرنگ کا عمل مختلف ہے۔ RBSiC کو کم درجہ حرارت پر سلکان کاربائیڈ میں مفت Si کی دراندازی کرنا ہے، SSiC 2100 ڈگری پر قدرتی سکڑنے سے بنتا ہے۔

2. SSiC میں ہموار سطح، زیادہ کثافت اور زیادہ طاقت ہوتی ہے، زیادہ سخت سطح کی ضروریات کے ساتھ کچھ سیلنگ کے لیے، SSiC بہتر ہوگا۔

3. مختلف پی ایچ اور درجہ حرارت کے تحت مختلف استعمال شدہ وقت، SSiC RBSiC سے لمبا ہے۔

سلکان کاربائیڈ ویفر بوٹ کی خصوصیات

اعلی گرمی کی مزاحمت اور تھرمل یکسانیت
ہموار سطح کے لیے فائن SiC کرسٹل لیپت
کیمیائی صفائی کے خلاف اعلی استحکام
مواد کو ڈیزائن کیا گیا ہے تاکہ دراڑیں اور ڈیلامینیشن نہ ہو۔