مونوکسٹلائن سلیکن پلانر ہدف

monocrystalline سلیکنپلانر ہدف پر عام طور پر czochralski کے طریقہ کار کے ذریعہ من گھڑت monocrystalline سلیکن انگوٹس سے اعلی صحت سے متعلق کاٹنے والے سامان کے ذریعہ کارروائی کی جاتی ہے۔ کسٹمر کی ضروریات کی تنوع کو پورا کرنے کے ل mon ، آپ کے معزز صارفین کے ل Mon مونوکریسٹل لائن سلیکن پلانر ہدف کو مطلوبہ شکلوں میں کاٹا جاسکتا ہے۔ عین مطابق پیسنے اور پالش کرنے والی پروسیسنگ ٹکنالوجی ہدف کے مواد کی شاندار سطح کے چپٹا پن کو یقینی بناتی ہے ، جو پتلی فلموں کے جمع کرنے کے لئے ایک مضبوط ضمانت فراہم کرتی ہے۔

فلم جمع کرنے کے عمل کے دوران لیپت ہونے کے لئے سبسٹریٹ کے ساتھ مل کر ایک ویکیوم ری ایکشن چیمبر میں مونوکریسٹل لائن سلیکن پلانر ہدف کو اندر رکھا گیا ہے۔ جب مونوکریسٹل لائن سلیکن پلانر ہدف پر اعلی توانائی کے آئنوں کے ذریعہ بمباری کی جاتی ہے تو ، اس کی سطح پر سلیکن ایٹموں کو ختم کردیا جاتا ہے۔ یہ پھٹے ہوئے سلیکن ایٹم پھر ہجرت کرتے ہیں اور سبسٹریٹ کی سطح پر جمع ہوجاتے ہیں ، اور آخر کار سلیکن پتلی فلم تشکیل دیتے ہیں۔

مونوکریسٹل لائن سلیکن پلانر ہدف پتلی فلم جمع کرنے کے لئے مادی ذریعہ کے طور پر کام کرتا ہے۔ ویفر سطح پر جمع ہونے والے تمام سلیکن ایٹموں کا آغاز مونوکریسٹل لائن سلیکن پلانر اہداف سے ہوتا ہے۔ لہذا ، مونوکریسٹل لائن سلیکن پلانر ہدف کا معیار براہ راست جمع شدہ پتلی فلم کی پاکیزگی ، یکسانیت اور دیگر اہم خصوصیات کا تعین کرتا ہے۔

عمدہ طہارت کی خصوصیت کی وجہ سے ایک منوکریسٹل لائن سلیکن پلانر ہدف ہے جس کی وجہ سے نجاست کو پتلی فلم کو آلودہ کرنے سے روکنے کی صلاحیت ہے۔ اس سے سیمیکمڈکٹر آلات کی برقی کارکردگی میں نمایاں طور پر بہتری آتی ہے۔ پتلی فلموں کی بہتری کی بہتری ’یکسانیت اور آسنجن کو اس کے انتہائی آرڈر شدہ کرسٹل ڈھانچے سے فائدہ ہوتا ہے ، جو پھیلنے والے ذرات کو ویفر سطح پر باقاعدگی سے ہجرت اور جمع کرنے کے قابل بناتا ہے۔ پلانر ڈھانچے کا ڈیزائن بڑے علاقے اور تیز رفتار اسپٹرنگ کی ضروریات کے لئے موزوں ہے ، اور یہ بڑے پیمانے پر پیداواری منظرناموں جیسے سیمیکمڈکٹر ویفرز اور ڈسپلے پینلز پر لاگو ہوتا ہے۔