- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
انڈسٹری نیوز
سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں ایس آئی سی سبسٹریٹس اور کرسٹل گروتھ کا اہم کردار
سلکان کاربائیڈ (SiC) انڈسٹری چین کے اندر، سبسٹریٹ سپلائرز بنیادی طور پر قدر کی تقسیم کی وجہ سے اہم فائدہ اٹھاتے ہیں۔ SiC سبسٹریٹس کل قیمت کا 47% بنتے ہیں، اس کے بعد epitaxial تہوں کی 23% ہوتی ہے، جبکہ ڈیوائس ڈیزائن اور مینوفیکچرنگ بقیہ 30% بنتی ہے۔ یہ الٹی ویلیو چین سبسٹریٹ اور ایپیٹیکسیل پرت کی پید......
مزید پڑھ
الیکٹرک گاڑیوں میں SiC اور GaN کا اطلاق
SiC MOSFETs ٹرانزسٹر ہیں جو اعلی طاقت کی کثافت، بہتر کارکردگی، اور اعلی درجہ حرارت پر کم ناکامی کی شرح پیش کرتے ہیں۔ SiC MOSFETs کے یہ فوائد الیکٹرک گاڑیوں (EVs) کے لیے بے شمار فوائد لاتے ہیں، بشمول لمبی ڈرائیونگ رینج، تیز چارجنگ، اور ممکنہ طور پر کم قیمت والی بیٹری الیکٹرک گاڑیاں (BEVs)۔ پچھلے پانچ......
مزید پڑھ
فورتھ جنریشن سیمی کنڈکٹرز گیلیم آکسائیڈ/β-Ga2O3
سیمی کنڈکٹر مواد کی پہلی نسل کو بنیادی طور پر سلکان (Si) اور جرمینیم (Ge) سے ظاہر کیا جاتا ہے، جو 1950 کی دہائی میں بڑھنا شروع ہوئے تھے۔ ابتدائی دنوں میں جرمینیم غالب تھا اور بنیادی طور پر کم وولٹیج، کم تعدد، درمیانی طاقت کے ٹرانزسٹرز اور فوٹو ڈیٹیکٹرز میں استعمال ہوتا تھا، لیکن اس کی کمزور اعلی درج......
مزید پڑھ
عیب سے پاک ایپیٹیکسیل گروتھ اور مسفٹ ڈس لوکیشنز
عیب سے پاک اپیٹیکسیل نمو اس وقت ہوتی ہے جب ایک کرسٹل جالی دوسرے سے تقریباً یکساں جالی کے مستقل ہوتے ہیں۔ ترقی اس وقت ہوتی ہے جب انٹرفیس کے علاقے میں دو جالیوں کی جالیوں کی جگہیں تقریباً مماثل ہوں، جو کہ ایک چھوٹی جالی کی مماثلت (0.1% سے کم) کے ساتھ ممکن ہے۔ یہ اندازاً مماثلت انٹرفیس میں لچکدار تناؤ ......
مزید پڑھ
