ویفر کیریئر

Semicorex SiC-coated graphite Wafer Carrier کو سیمی کنڈکٹر اپیٹیکسیل ترقی کے عمل کے دوران قابل اعتماد ویفر ہینڈلنگ فراہم کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے، جو اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت اور بہترین تھرمل چالکتا پیش کرتا ہے۔ جدید مادی ٹیکنالوجی اور درستگی پر توجہ کے ساتھ، Semicorex اعلیٰ کارکردگی اور پائیداری فراہم کرتا ہے، جو کہ انتہائی مطلوب سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کے لیے بہترین نتائج کو یقینی بناتا ہے۔*

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

Semicorex Wafer Carrier سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں ایک لازمی جزو ہے، جو کہ اہم اپیٹیکسیل ترقی کے عمل کے دوران سیمی کنڈکٹر ویفرز کو رکھنے اور ٹرانسپورٹ کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ سے بنایا گیا ہے۔سی سی لیپت گریفائٹ، اس پروڈکٹ کو اعلی درجہ حرارت، اعلی صحت سے متعلق ایپلی کیشنز کی مانگ کی ضروریات کو پورا کرنے کے لیے بہتر بنایا گیا ہے جو عام طور پر سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں درپیش ہوتے ہیں۔

سی سی لیپت گریفائٹ Wafer Carrier کو ویفر ہینڈلنگ کے عمل کے دوران خاص طور پر epitaxial گروتھ ری ایکٹرز کے اندر غیر معمولی کارکردگی فراہم کرنے کے لیے بنایا گیا ہے۔ گریفائٹ اپنے بہترین تھرمل کے لیے بڑے پیمانے پر پہچانا جاتا ہے۔

چالکتا اور اعلی درجہ حرارت کا استحکام، جبکہ SiC (سلیکون کاربائیڈ) کوٹنگ مواد کی آکسیڈیشن، کیمیائی سنکنرن اور پہننے کے خلاف مزاحمت کو بڑھاتی ہے۔ یہ مواد ایک ساتھ مل کر Wafer Carrier کو ایسے ماحول میں استعمال کے لیے مثالی بناتے ہیں جہاں اعلیٰ درستگی اور اعلیٰ وشوسنییتا ضروری ہے۔

مواد کی ساخت اور خواص

ویفر کیریئر سے تعمیر کیا گیا ہے۔اعلی معیار کے گریفائٹ، جو اپنی بہترین مکینیکل طاقت اور انتہائی تھرمل حالات کا مقابلہ کرنے کی صلاحیت کے لیے جانا جاتا ہے۔ دیایس سی کوٹنگگریفائٹ پر لاگو ہونے سے تحفظ کی اضافی تہیں ملتی ہیں، جس سے جزو کو بلند درجہ حرارت پر آکسیکرن کے خلاف انتہائی مزاحم بناتا ہے۔ SiC کوٹنگ کیریئر کی پائیداری کو بھی بڑھاتی ہے، اس بات کو یقینی بناتی ہے کہ یہ بار بار اعلیٰ درجہ حرارت کے چکروں اور سنکنار گیسوں کی نمائش میں اپنی ساختی سالمیت کو برقرار رکھے۔

SiC لیپت گریفائٹ مرکب یقینی بناتا ہے:

· بہترین تھرمل چالکتا: موثر حرارت کی منتقلی کی سہولت، سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسیل ترقی کے عمل کے دوران ضروری۔

· اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت: SiC کوٹنگ انتہائی گرمی کے ماحول کو برداشت کرتی ہے، اس بات کو یقینی بناتی ہے کہ کیریئر ری ایکٹر میں تھرمل سائیکلنگ کے دوران اپنی کارکردگی کو برقرار رکھے۔

· کیمیائی سنکنرن مزاحمت: SiC کوٹنگ نمایاں طور پر epitaxy کے دوران پیش آنے والی رد عمل والی گیسوں سے آکسیکرن اور سنکنرن کے خلاف کیریئر کی مزاحمت کو بہتر بناتی ہے۔

· جہتی استحکام: SiC اور گریفائٹ کا امتزاج اس بات کو یقینی بناتا ہے کہ کیریئر وقت کے ساتھ ساتھ اپنی شکل اور درستگی کو برقرار رکھتا ہے، طویل عمل کے دوران خرابی کے خطرے کو کم کرتا ہے۔

سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسی گروتھ میں ایپلی کیشنز

Epitaxy ایک ایسا عمل ہے جہاں سیمی کنڈکٹر مواد کی ایک پتلی پرت کو سبسٹریٹ پر جمع کیا جاتا ہے، عام طور پر ایک ویفر، کرسٹل جالی کا ڈھانچہ تشکیل دیتا ہے۔ اس عمل کے دوران، درست ویفر ہینڈلنگ اہم ہے، کیونکہ ویفر پوزیشننگ میں معمولی انحراف کے نتیجے میں پرت کی ساخت میں نقائص یا تغیرات پیدا ہو سکتے ہیں۔

ویفر کیریئر اس بات کو یقینی بنانے میں کلیدی کردار ادا کرتا ہے کہ اس عمل کے دوران سیمی کنڈکٹر ویفرز کو محفوظ طریقے سے رکھا گیا ہے اور مناسب طریقے سے پوزیشن میں رکھا گیا ہے۔ SiC-coated graphite کا امتزاج سلکان کاربائیڈ (SiC) epitaxy کے لیے مطلوبہ کارکردگی کی خصوصیات فراہم کرتا ہے، یہ ایک ایسا عمل ہے جس میں پاور الیکٹرانکس، آپٹو الیکٹرانکس، اور دیگر جدید سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز میں استعمال کے لیے اعلیٰ پاکیزگی والے SiC کرسٹل کو بڑھانا شامل ہے۔

خاص طور پر، ویفر کیریئر:

· عین مطابق ویفر سیدھ فراہم کرتا ہے: ویفر کے پار ایپیٹیکسیل پرت کی نشوونما میں یکسانیت کو یقینی بنانا، جو ڈیوائس کی پیداوار اور کارکردگی کے لیے اہم ہے۔

· تھرمل سائیکلوں کو برداشت کرتا ہے: SiC کوٹڈ گریفائٹ مستحکم اور قابل اعتماد رہتا ہے، یہاں تک کہ 2000 ° C تک اعلی درجہ حرارت والے ماحول میں بھی، پورے عمل کے دوران ویفر کی مسلسل ہینڈلنگ کو یقینی بناتا ہے۔

· ویفر کی آلودگی کو کم کرتا ہے: کیریئر کی اعلی پاکیزگی والی مواد کی ساخت اس بات کو یقینی بناتی ہے کہ ویفر کو افزائشی نمو کے عمل کے دوران ناپسندیدہ آلودگیوں کا سامنا نہ ہو۔

سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسی ری ایکٹرز میں، ویفر کیریئر کو ری ایکٹر چیمبر کے اندر رکھا جاتا ہے، جہاں یہ ویفر کے لیے ایک سپورٹ پلیٹ فارم کے طور پر کام کرتا ہے۔ کیریئر ویفر کی سالمیت پر سمجھوتہ کیے بغیر ویفر کو اعلی درجہ حرارت اور epitaxial ترقی کے عمل میں استعمال ہونے والی رد عمل والی گیسوں کے سامنے آنے کی اجازت دیتا ہے۔ SiC کوٹنگ گیسوں کے ساتھ کیمیائی تعامل کو روکتی ہے، اعلیٰ معیار کے، عیب سے پاک مواد کی نشوونما کو یقینی بناتی ہے۔

SiC Coated Graphite Wafer Carrier کے فوائد

1. بہتر پائیداری: SiC کوٹنگ گریفائٹ مواد کی پہننے کی مزاحمت کو بڑھاتی ہے، جس سے متعدد استعمال میں انحطاط کا خطرہ کم ہوتا ہے۔

2. اعلی درجہ حرارت کا استحکام: ویفر کیریئر اپیٹیکسیل نمو والی بھٹیوں میں عام ہونے والے انتہائی درجہ حرارت کو برداشت کر سکتا ہے، اپنی ساختی سالمیت کو بغیر کسی تپش یا کریکنگ کے برقرار رکھتا ہے۔

3. بہتر پیداوار اور عمل کی کارکردگی: اس بات کو یقینی بنا کر کہ ویفرز کو محفوظ طریقے سے اور مستقل طور پر ہینڈل کیا جاتا ہے، SiC-coated graphite Wafer Carrier epitaxial ترقی کے عمل کی مجموعی پیداوار اور کارکردگی کو بہتر بنانے میں مدد کرتا ہے۔

4. حسب ضرورت کے اختیارات: مختلف ایپیٹیکسیل ری ایکٹرز کی مخصوص ضروریات کو پورا کرنے کے لیے کیریئر کو سائز اور ترتیب کے لحاظ سے اپنی مرضی کے مطابق بنایا جا سکتا ہے، سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کی وسیع رینج کے لیے لچک فراہم کرتا ہے۔

سیمیکوریکسسی سی لیپت گریفائٹویفر کیریئر سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں ایک اہم جزو ہے، جو ایپیٹیکسیل ترقی کے عمل کے دوران ویفر ہینڈلنگ کے لیے ایک بہترین حل فراہم کرتا ہے۔ اس کے تھرمل استحکام، کیمیائی مزاحمت، اور مکینیکل طاقت کے امتزاج کے ساتھ، یہ سیمی کنڈکٹر ویفرز کی درست اور قابل اعتماد ہینڈلنگ کو یقینی بناتا ہے، جس کے نتیجے میں اعلیٰ معیار کے نتائج اور ایپیٹیکسی عمل میں بہتر پیداوار حاصل ہوتی ہے۔ چاہے سلکان کاربائیڈ ایپیٹیکسی ہو یا دیگر جدید سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کے لیے، یہ ویفر کیریئر جدید سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے درست معیارات کو پورا کرنے کے لیے درکار استحکام اور کارکردگی پیش کرتا ہے۔

ہاٹ ٹیگز: ویفر کیریئر، چین، مینوفیکچررز، سپلائرز، فیکٹری، اپنی مرضی کے مطابق، بلک، اعلی درجے کی، پائیدار

پروڈکٹ ٹیگ

متعلقہ زمرہ